陈星弼院士去世 陈星弼院士是做什么的陈星弼生平简介

2019年12月4日17时10分，中国科学院院士、中国电子科技大学教授陈兴碧在成都逝世，享年89岁。

陈星碧是中国功率半导体领域的领导者和大师。他是世界上第一个提出超结击穿电压层理论的科学家。他的超结发明专利打破了传统的“硅极限”，被国际学术界誉为“高压功率器件的新里程碑”。

当时，世界上将近四分之三的电能在使用之前都是由半导体功率器件转化成电能的。陈星碧的新发明解决了在普通集成电路上制作功率器件的问题，打破了阻碍第二次电子革命快速发展的桎梏。

陈星碧生平简介:

陈星碧，1931年1月28日出生于上海。1952年从同济大学电气工程系毕业后，先后在厦门大学、东南大学、成都电信工程学院(现中国电子科技大学)工作。

1980年被送到俄亥俄大学做访问学者，1981年初被调到加州大学伯克利校区开始研究新型半导体功率器件。1983年回国后，当选为系主任，并很快成立了微电子研究所。他的主要研究方向是MOS功率器件。在他的领导下，VDMOST、IGBT、LDMOST、MCT、EST等设备及相关技术在国内首次得到开发。

陈兴璧院士因其在高压功率MOSFET理论和设计方面的杰出贡献，获得了第27届国际功率半导体器件与集成电路大会(IEEE ISPSD 2015)颁发的最高荣誉“国际功率半导体先锋奖”，成为亚太地区第一位获得这一荣誉的科学家。2018年，他入选第一届IEEE ISPSD名人堂，成为首位入选名人堂的中国科学家。

1999年当选中国科学院院士，2019年当选国际电工电子工程师学会终身会员。

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