【敦煌石窟跑法】全程高能手柄教你玩莫高窟。

莫高窟俗称“天佛洞”是位于河西走廊的敦煌，是世界上现存规模最大、内容最丰富的佛教圣地。最近《QQ飞车手游》度登上了“敦煌研究院”系列地图莫高窟，相信在赛道上可以感受到莫高窟的独特魅力。

彩虹店

莫高窟是五星难度赛道，全程由不规则弯道组成，非常考验玩家的漂移和旋转操作。该赛道适合性能高的赛车，左右旋转时速度损失小，容错性高，整体速度更快。这幅画鞋跟窄，不规则，所以漂流时努力让赛车在赛道中间漂流，弯后不容易撞到墙上。(威廉莎士比亚，温德萨默。)接下来，我将说明几个困难的位置。

起始曲线

开幕后的第一辆SUV由两条弯道组成，需要在短时间内进行两次漂移。第一个拐角是直角弯。使用尾部漂移后，可以先使用单个喷雾。下一个环节更急。最好使用侧身漂移，移动到弯曲的地方。漂流过程中，可以使用第二个小喷雾来提高弯曲速度。(大卫亚设)。

连接断裂漂移连接双喷弯曲，在这里收集一个氮。(威廉莎士比亚，氮、氮、氮、氮、氮、氮)第二个角是窄的U形，漂流时向内碰撞，可以轻松停滞，调节赛车跑道。

枫叶高低落差区域

向右开车，提前漂流

弯后有高低落差地区，路上有两个起伏，这里的漂流是难点。建议在该地区行驶到轨道中央，前面瞄准前方的路标，第一次小跳跃落地后立即漂流(如果有氮气加速，第一次跳跃升空前一刻开始漂流)，减速赛车沿地面弯曲。

弯曲后，使用断裂位置漂移，请注意曲线半径很大，向左拉更多量的前面，氮气将用作下一条曲线(下一条曲线后的线性轨道长度)。

洞穴木桥

在进入洞穴之前，可以用小直角曲线，使用尾部漂移进行小幅度漂移，调整车头方向。(威廉莎士比亚，温德萨默。)(威廉莎士比亚，温德萨默。)。

进入洞穴后，左右两边都有木桥，可以选择一座木桥。木桥很窄，为了避免坠落，要小心地旋转赛车。

差距微弱

在木桥上穿过两条弯道，可以在地图上看到一个缝隙。这里有隐藏的非弱点。到达空隙前要提前使用氮气。依靠氮气的加速，最好从缝隙跳跃到后方的轨道。建议向左稍微飞跃。(约翰f肯尼迪)。

465879058739dd8fd35?from=article.detail&_iz=31825&index=8" width="500" height="333"/>

▲从缺口左侧飞跃

　　选择从缺口飞跃有一定的风险，这里有视线遮挡，并且赛车速度不够就无法飞跃到对面赛道。一旦飞跃失败，复位会退回到飞跃点，只能重新走常规赛道。

▲过弯后快速出弯，衔接CW喷出弯

　　大家也可以选择走常规赛道，无飞跃风险。常规赛道也有一个近道，用于弥补距离损失，这样的话只比飞跃稍微慢一点。我们只需根据小地图判断近道位置，提前进行漂移，在漂移后使用快速出弯中断漂移轨迹，衔接CW喷出弯即可。

　　曲折赛道区域

　　从洞窟出来后有个小幅度曲折的赛道衔接两个直角弯，有点类似秋之物语中间从山洞出来的那段路，这个地方控制赛车略微转向平跑即可，漂移会浪费更多时间。

　　在曲折赛道后两个连续的直角弯，建议在第一个直角弯处使用甩尾漂移，然后衔接CWW喷出弯。

　　连续U型弯

　　接近终点的位置，有三个连续的U型弯，弯道范围较大要尽量做到贴弯漂移。U弯路段要合理选择路线，另外有些弯用快速出弯有些弯用CWW喷，合理选择过弯方式才能做到最快。

　　对于第一个和第三个U弯（过弯时面朝终点的U弯），使用快速出弯+小喷延续氮气，而中间第二个U弯（过弯时背对终点的U弯），则使用断位漂移+CWW喷出弯。这样依次通过3个U型弯，再使用甩尾漂移接CWW喷通过两个直角弯，就能抵达终点。

莫高窟前半段赛道较窄，道路十分曲折，在过弯时应注意拉正车头，尽量使赛车行驶在赛道中间位置，以便进行下一次漂移。后半段赛道较宽，贴墙漂移能够有效缩短漂移轨迹，更快的抵达终点。前半段难点较多，需多加练习，后面U型弯应合理使用CWW喷与快速出弯，并注意提前进行漂移，如果要撞到内弯，使用停滞漂移修正赛车位置即可。