碳化硅是什么材料 中电二所发力碳化硅材料

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大带隙、高临界击穿场强、高电子迁移率和高热导率是第三代半导体碳化硅单晶材料最响亮的“名片”。

碳化硅单晶作为新一代雷达、卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的核心材料，在航空航天、军工、核能等极端环境应用中具有不可替代的优势。它弥补了第一代和第二代半导体材料在实际应用中的不足，成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光和光电集成器件的理想材料，在许多战略行业具有重要的应用价值和广阔的应用前景。

“用这种高纯度半绝缘碳化硅衬底材料制成的芯片可以实现更高的通信频率和更高的功率密度，使我们的基站可以传输更多的信息和更快的反应速度，这将为未来的智能城市和自主驾驶提供良好的支持。”山西硕科水晶有限公司副总经理魏如生自豪地说。

事实上，碳化硅单晶的制备一直是一个全球性的问题，高稳定性生长技术是其核心。现在这种“心脏技术”只掌握在少数发达国家手中，很少有企业能实现商业化大批量生产。在中国，碳化硅单晶衬底材料长期依赖进口，其高昂的价格和不稳定的供应形势极大地限制了国内相关产业的发展。

“没有高度竞争的核心技术，一旦国外采取措施，高技术产业就会受到冲击”。自2007年起，中国电力股份有限公司第二研究所开始制定碳化硅单晶衬底材料的研发计划，依托自身在电子专用设备研发领域的技术优势，致力于碳化硅单晶生长炉的研发。经过多年的不懈努力，我们已经完全掌握了高纯碳化硅粉体和4英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的制备工艺，形成了从碳化硅粉体制备、晶体生长、晶圆加工、外延验证等一整套碳化硅材料开发线。，实现了国内第一次批量生产高纯碳化硅材料和高纯半绝缘芯片。

目前，投资50亿元、建设用地约1000亩的中国电子电子信息技术创新产业园即将在山西转型综合改革示范区投产。计划五年内建设“一中心三基地”，即:中国电子(山西)碳化硅材料产业基地、中国电子(山西)电子设备智能制造产业基地、中国电子第三代半导体技术创新中心、中国电子光伏新能源产业基地。

项目投产后，预计产值100亿元。通过吸引上游企业，形成产业集聚效应，打造电子设备制造和三代半导体产业的生态链，打造中国最大的碳化硅材料供应基地。