这是三星Xi安闪存芯片项目的二期投资，之前的一期投资是108亿美元。二期工程总投资150亿美元，一期投资约70亿美元，二期投资80亿美元。
早在2017年，三星就宣布将在未来三年内向生产NAND闪存芯片的Xi安工厂投资70亿美元。在此之前，三星还投资了108亿美元在Xi的一个测试和包装工厂。
据悉，该项目第二阶段预计于2021年下半年完成。建成后，月产量增加13万件，产值增加300亿元。
据行业分析师称，三星的投资正值全球内存市场预计明年反弹之际。随着中国5G网络布局加快，对5G设备和网络的需求持续上升，明年全球内存芯片市场将出现反弹，因此增加中国芯片厂商的投资是明智之举。
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