【彩电300v整流二极管用什么型号】整流二极管、放大二极管、开关二极管、稳压二极管、肖特基二极管

1.检测二极管

检波二极管的主要作用是检出高频信号中的低频信号。他们的结构是点接触型的，所以连接电容小，工作频率高。一般由锗材料制成。原则上，从输入信号中取出调制信号的是检波，以整流电流的大小(100毫安)为界，一般将输出电流小于100毫安称为检波。锗材料点接触型，工作频率可达400MHz，正向压降小，电容小，剑波效率高，频率特性好，为2AP型。检查用二极管，如点接触型，除检查波外，还可用于限幅、削波、调制、混合、开关等电路。另外，还有两种二极管组合，FM检波专用特性的一致性很好。

2整流器二极管

原则上，从输入交流中获得输出的直流是整流的。以整流电流的大小(100毫安)为界，一般输出电流大于100毫安称为整流。由于棉结型，结电量大，一般在3kHZ以下。最大反向电压为25伏到3000伏A ~ X，共22档。分类如下：1硅半导体整流二极管2CZ型，硅桥整流QL型，电视高压硅堆工作频率接近100KHz的2CLG型。

三限二极管

二极管正向通过后，其正向压降基本不变(硅管道为0.7V，锗管道为0.3V)。此功能可让您将电路中的信号振幅限制在一定范围内。

大多数二极管都可以用作门槛。还有专用限制二极管，如保护计用和高频支那。通常使用硅材料制成的二极管，使这些二极管起到限制特别尖锐的振幅的作用。根据限制电压需求，还销售连接必要的整流二极管形成整体的组件。

4.调制二极管

通常指环形调制专用二极管。是正向特性一致性好的4个二极管的组合。其他变容二极管也有调制用途，但通常用作直接频率。

5.混合二极管

使用二极管混合方法时，在500~10，000Hz频率范围内，常用肖特基型和点接触二极管。

6.二极管放大

辅助管道图标

扩大到二极管将扩大到隧道二极管和体效应二极管等负电阻器的放大和变容二极管的参数。因此，放大用二极管一般指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。

7.开关二极管

二极管在正向电压作用下电阻小，处于全通状态，相当于连接的开关。在反向电压作用下，电阻很大，像断开的开关一样处于关闭状态。利用二极管的开关特性，可以构成各种逻辑电路。

有在小电流(10毫安左右)下使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的用于核心激励的开关二极管。小电流的开关二极管通常有接触型和结合型等二极管，也有能在高温下工作的硅扩散型、烹饪型、平面二极管。开关二极管的特长是开关速度快。肖特基型二极管开关时间很短，是理想的开关二极管。用于中速开关电路的2AK点接触；用于高速开关电路的2CK平面接触；用于开关、限幅、钳位或检测等电路。肖特基(SBD)硅大电流开关正向压降小，速度快，效率高。

8.变容二极管

用于自动频率控制(AFC)和调谐的低功耗二极管称为变分二极管。日本制造商方面也有很多其他名称。通过应用反向电压；更改PN接头的静电容量。因此，用于自动频率控制、扫描振动、频率调节、调谐等用途。一般使用硅的扩散型二极管，但也可以使用合金扩散型、外延结合型、双扩散型等特殊制作的二极管。因为这种二极管在电压上静电容量的变化率特别大。电容器根据反向电压VR而变化，用作调谐电路、振动电路、锁相环路而不是可变电容器，常用于电视高频的频道变换和调谐电路，多采用硅材料制作。

9.倍频二极管

对于二极管的频率倍增器，有依赖于变分二极管的频率倍增器和依赖于相位(即快变)二极管的频率倍增器。用于频率倍增的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器的工作方式与用于自动频率控制的变容二极管相同，但反应器的结构可以承受大功率。阶段二极管也称为阶段恢复二极管，因为从导电切换到关闭时的反向恢复时间TRR短，其特长是快速关闭的转换时间明显短。对相位二极管施加正弦波，传输时间(TT)短，输出波形紧急

地被夹断，故能产生很多高频谐波。

10.稳压二极管

这种管子是利用二极管的反向击穿特性制成的，在电路中其两端的电压保持基本不变，起到稳定电压的作用。是代替稳压电子二极管的产品。被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V左右到150V，按每隔10%，能划分成许多等级。在功率方面，也有从200mW至100W以上的产品。工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很小，一般为2CW、2CW56等；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。

稳压二极管的温度系数α：α表示温度每变化1℃稳压值的变化量。稳定电压小于4V的管子具有负温度系数（属于齐纳击穿），即温度升高时稳定电压值下降（温度使价电子上升较高能量）；稳定电压大于7V的管子具有正温度系数（属于雪崩式击穿），即温度升高时稳定电压值上升（温度使原子振幅加大，阻碍载流子运动）；而稳定电压在4~7V之间的管子，温度系数非常小，近似为零（齐纳击穿和雪崩击穿均有）。

11.PIN型二极管（PIN Diode）

这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。PIN中的I是"本征"意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和"本征"层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，"本征"区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入"本征"区，而使"本征"区呈现出低阻抗状态。因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。

12.雪崩二极管(Avalanche Diode)

它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。

13.江崎二极管（Tunnel Diode）

它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（IP/PV），其中，下标"P"代表"峰"；而下标"V"代表"谷"。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。

14.快速关断（阶跃恢复）二极管(Step Recovary Diode)

它也是一种具有PN结的二极管。其结构上的特点是：在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区，从而形成"自助电场"。由于PN结在正向偏压下，以少数载流子导电，并在PN结附近具有电荷存贮效应，使其反向电流需要经历一个"存贮时间"后才能降至最小值（反向饱和电流值）。阶跃恢复二极管的"自助电场"缩短了存贮时间，使反向电流快速截止，并产生丰富的谐波分量。利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路。快速关断（阶跃恢复）二极管用于脉冲和高次谐波电路中。

15.肖特基二极管 ；（Schottky Barrier Diode）

它是具有肖特基特性的"金属半导体结"的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

可作为续流二极管，在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。

16.阻尼二极管

阻尼二极管多用在高频电压电路中，具有较高的反向工作电压和峰值电流，正向压降小，高频高压整流二极管，用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。常用的阻尼二极管有2CN1、2CN2、BSBS44等。

17.瞬变电压抑制二极管

TVP管，对电路进行快速过压保护，分双极型和单极型两种，按峰值功率（500W－5000W）和电压（8.2V～200V）分类。

18.双基极二极管（单结晶体管）

两个基极，一个发射极的三端负阻器件，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中，它具有频率易调、温度稳定性好等优点。

19.发光二极管

用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿、蓝单色光。随着技术的进步，近来研制成了白光高亮二极管，形成了LED照明这一新兴产业。

还用于VCD、DVD、计算器等显示器上。

20.、硅功率开关二极管

硅功率开关二极管具有高速导通与截止的能力。它主要用于大功率开关或稳压电路、直流变换器、高速电机调速及在驱动电路中作高频整流及续流箝拉,具有恢复特性软、过载能力强的优点、广泛用于计算机、雷达电源、步进电机调速等方面。

21.旋转二极管

主要用于无刷电机励磁、也可作普通整流用。

22.触发二极管

触发二极管又称双向触发二极管（DIAC）属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅；，在电路中作过压保护等用途。

特性分类

点接触型二极管，按正向和反向特性分类如下。

1.一般用点接触型二极管

这种二极管正如标题所说的那样，通常被使用于检波和整流电路中，是正向和反向特性既不特别好，也不特别坏的中间产品。如：SD34、SD46、1N34A等等属于这一类。

2.高反向耐压点接触型二极管

是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品。使用于高压电路的检波和整流。这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般。在点接触型锗二极管中，有SD38、1N38A、OA81等等。这种锗材料二极管，其耐压受到限制。要求更高时有硅合金和扩散型。

3.高反向电阻点接触型二极管

正向电压特性和一般用二极管相同。虽然其反方向耐压也是特别地高，但反向电流小，因此其特长是反向电阻高。使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中，就锗材料高反向电阻型二极管而言，SD54、1N54A等等属于这类二极管。

4.高传导点接触型二极管

它与高反向电阻型相反。其反向特性尽管很差，但使正向电阻变得足够小。对高传导点接触型二极管而言，有SD56、1N56A等等。对高传导键型二极管而言，能够得到更优良的特性。这类二极管，在负荷电阻特别低的情况下，整流效率较高。

发光分类