硅靶材 “靶材”的归类

所谓的“靶”是指在物理气相沉积工艺中应用的“涂层材料”。

“靶”通过各种物理气相沉积方法沉积，例如“真空蒸发”、“磁控溅射”和“多弧离子镀”。在适当的工艺条件下蒸发“目标”，并电离蒸发的材料和气体。

随着电场的加速，蒸发的物质及其反应产物“沉积”在工件上，形成各种具有特殊性能的薄膜“涂层”。).

图1氧化铟锡靶

以磁控溅射法为例。在这种物理气相沉积模式下，“靶材”是被高速带电能量粒子轰击的靶材。在电子束、离子束或放电离子的冲击下，感觉像是一个“靶子”进行射击，所以俗称“靶子”。

图2“磁控溅射法”示意图

目前，海关总署大约有两个有效的公众分类决定提到了“目标”的分类:

第一

决定号:Z2006-0493

商品名:TI W Target

说明:本产品为钛钨合金产品，由40%钛和60%钨熔化，放入模具中，高温熔化，冷却固定而成，为板材。规格:443mm× 125mm× 9mm。用于半导体芯片的制造过程中，使用时通过溅射蒸发到芯片上作为芯片的电极。

分类意见:

首先，钨在该商品中所占的比重较大，根据第15类附注5 的规定，应归类为81.01项下的钨合金产品；

其次，该商品虽然具有不用加工就能用于专业行业的特点，但它只是由模具高温成型，而不是锻造而成。因此，根据《税则分类通则6》，应将其归入税则号列8101.9400。

2号

决定号:Z 2006-1245

商品名:硅靶

“硅靶”有两种:T1239和T1240，由不锈钢内胆和喷涂在内胆表面的硅粉组成。

主要成分为硅>:90.5%，铝9.0% ~ 9.5%，铁

本产品是生产节能镀膜玻璃的磁控溅射设备的耗材。使用时，玻璃作为阳极，硅靶作为阴极。在真空状态的电磁场中，加入的纯气体被电离，击中硅靶。硅粉等离子体被分离并沉积在玻璃表面以形成薄膜。

分类意见:“硅靶”尺寸已经固定，无需进一步加工，钢管只是作为载体。根据关税总分类规则三，硅目标应归类到关税代码栏3824.9090。

在分析了以上两个关于“目标”的公共分类决策后，我们会发现，似乎无论是“目标”本身，还是由“目标”和“载体”构成的成品；

无论是“板”的形状还是“内胆”的形状；无论是用于玻璃镀膜还是芯片电极的溅射蒸发；总之，“目标”在分类决策中基本上是根据自身的“材料”进行分类的。

不过，相信你也注意到了。在标题84.86下，列出了“带背板的溅射靶组件”。在这种情况下，为什么上述分类决定没有按照“具体栏目名称”将“目标材料”归入子目8486.9091？

边肖敢于推测这可能是出于以下原因:

首先明确一点，“带背板溅射靶组件”是2012年关税实施方案中新增的“国产子目”。详细说明如下:

“带背板的溅射靶由背板和溅射靶组成。其中，溅射靶是制造半导体芯片所必须的极其重要的关键材料，使用超高纯金属。)为原料；

通过内部晶粒和织构控制技术，再通过大面积异种金属焊接、精密加工、清洗、包装等一系列复杂精密的工艺。2012年《关税》增加了带背板溅射靶的副标题，主要是支持高附加值产品在国内出口。

可以看出，副标题8486.9091中描述的带背板的溅射靶组件必须满足至少三个条件:

1.它由“背板”和“溅射靶”组成

2.它用于制造“半导体芯片”的过程中

3.必须使用超高纯度的“金属”作为原料。

所以“Ti-W靶材”虽然属于“金属”材料，作为“溅射蒸发芯片的电极”。但其结构中并没有“背板”或“载体”。因此，不满足第一个条件。

对于“硅靶”，则相反。其结构由不锈钢内胆和热喷涂在内胆表面的硅粉组成。但其目的是“生产节能镀膜玻璃”。另外，“硅”不是“金属”材料。

换句话说，两者都不满足副标题8486.9091中描述的“带背板溅射靶组件”的三个条件。

最后，边肖试图结合《分类决定》和《全国字幕注释》的内容，总结“目标素材”的分类方法:

1.建议将完全满足《2012年关税实施计划》中“带背板溅射靶组件”三个条件的“靶”归入子目886.9091。

2.不满足上述条件1的“靶体”不能直接使用。所以应视为没有“零件”，建议按其“材料”分类。

3.不符合上述第2项要求但具有“不经加工直接使用”特点的“目标”。根据情况，建议按照对应“整机”的“零件”子目进行分类。

4.不符合上述第3项条件的材料建议根据“零件”归类到标题84.86下的其他相应副标题中。

当然，以上分类方法都是个人的小见解，仅供你参考。如果用词谨慎，还是有很多不完善的地方。而且在实际工作中，肯定会遇到超过以上四种情况的“目标”产品。然而，经过边肖的综合考虑，这是一种相对合适的分类方法。水平有限，希望大家抛砖引玉，那就更好了！