内存颗粒厂商排名 关于内存颗粒的小秘密：不同颗粒差异较大

说到记忆，可能就没什么普通人可以聊的了。虽然是电脑中不可缺少的硬件，但只要容量足够大，对游戏的影响和日常使用体验并没有很强的感知能力。

但对于DIY玩家来说，将记忆频率刷新到新高，缩小时机是他们一直追求的。

虽然3600MHz可能比玩游戏用的2400MHz内存高几帧，但是这个数字看着很舒服。

决定内存超频的主要因素有三个。一种是匹配CPU的IMC，主要和IMC设计有关，也和CPU构成一样。同型号各处理器的IMC会有物理差异；

二是主板和主板BIOS，这要看主板厂商的调整；

最后，还要看记忆粒子。今天，边肖将带你了解主流的内存粒子，这也方便你购买便宜易用的可以超频的内存。

记忆粒子有什么区别？

记忆粒子之间为什么会有物理差异？首先生产记忆颗粒的厂家很多，应该是很多DIY玩家都知道的。

这里简单列举一下，目前消费市场90%的内存颗粒都是Magnum、Hynix、三星生产的，都是美韩巨头。

此外，南亚、温邦、丽晶等台湾省厂商也会生产。但是后面这些厂商现在主要生产服务器内存颗粒，消费市场比较小。

内存颗粒就是DRAM芯片。每个厂商的技术研发能力不同，芯片设计不同，制造工艺不同，生产出来的芯片质量自然也会不一样。

甚至同一个厂商生产的记忆粒子也会迭代开发。比如Hynix的第一代DDR4内存粒子主要有H5AN8G8NMFR、H5AN4G8NMFR等以MFR结尾的粒子，被民间称为MFR粒子。

这些粒子可以在2666MHz或者2400MHz的频率下稳定运行，但是超频的潜力很小，疯狂的电压施加无法成功。

Hynix随后引入了AFR终结粒子，明显提高了超频性能，即带压超频，显著提高了频率，现在已经迭代发展成第三代CJR粒子。

目前主流的内存粒子有哪些？

那么目前主流的内存粒子有哪些呢？再说说不同的厂家。

海力士

例如，使用Hynix。先说海力士粒子。

刚才还说了第一代Hynix推广的DDR4内存粒子是MFR粒子过程，由于有“H5AN8G4NCJR”等后缀CJR粒子，所以也叫CJR粒子。

CJR粒子的体能很好，更重要的是和近几年火大的锐龙平台非常兼容，可以轻松运行3600MHz，因此成为DIY玩家，尤其是AMD平台玩家的宠儿。

此外，海力士还推出了新一代JJR颗粒，但这款颗粒是为了取代之前的MFR和AFR颗粒，超频质量略逊于CJR颗粒。

简单总结一下，目前市场上主流的海力士颗粒，体质的顺序是CJR>JJR>AFR>MFR，但当然不排除可以犯一些体质好的特例。

猎户座腰带

三星的内存颗粒早在DDR3时代就已经非常优越，在DIY圈建立了声誉。DDR4时代也是如此，所以这里不得不提三星B-die。

三星B-die是DDR4时代的超频传奇，大部分都是20nm工艺制作，无数内存超频记录都是他做的，是DIY玩家心中最好的一粒。

三星B-die与AMD、Intel的兼容性很好，在Intel平台上达到4000MHz以上的频率是基本操作，而且定时还是很低的，很受玩家欢迎。

而我们常说的B-die粒子，其实是K4A8G045WB、K4A8G085WB等5WB系列后缀中的BCBP粒子。

这些粒子是专门为旗舰内存挑选的，所以更准确的说，体质好的应该叫专门挑选的B-die。

剩下的普通B-dies虽然体质不错，但是没有实力挑战超频记录。还有一个吃剩的B-Die，是最差的。

可惜三星去年宣布停止生产B-die颗粒，终结了一代传奇。

现在市面上购买三星B-die颗粒的内存越来越难，之前也有内存厂商用它来制造旗舰产品，价格不菲。

三星A模和M模成功B模粒子。新粒子提高了密度，每个粒子的容量更大，降低了成本，便于制造单个32GB或更大的存储器。

三星认为，A-die的超能力与B-die一致甚至更好，容量更大，而M-die则不如。

但是这么好的颗粒三星主要用在专业市场和服务器市场，消费市场还没有达到。在产能达到之前，普通消费者可能无法获得。

除此之外，目前市面上也有C模和E模，这些构成都比较一般。

综上所述，我们就讨论一下目前大家都能买到的三星内存的颗粒构成，选择B模>普通B模>边角料B模> C模≈E模，而A模和M模就不说了，因为市场上没有买，也没有测。

镁光灯

之前DIY圈有镁粒的情况比较低，一般比较稳定耐用，但是超频性能没有三星那么抢眼。

氧化镁B-die是一种比较早的DDR4颗粒，也是一种装运大量镁质的颗粒。这种颗粒比较稳定耐用，但是不要想着怎么超频，买了默认用就行了。

此外，菱镁矿子公司Spectrek专门处理菱镁矿检测中不合格的降解颗粒。这些退化的记忆粒子会被打上Spectrek的大S标记，也就是所谓的大S粒子。

大的S粒子都是镁光降解的碎片，但也有好的坏的。

例如，镁光产生频率为3200兆赫兹的记忆粒子，并将Spectek降低到2400兆赫兹的销售标准。那你就不能说这些颗粒达不到3200MHz的要求，是垃圾颗粒；

但是有些大的S粒子是用低端内存筛选标准筛选出来的，产量极低。这些是垃圾颗粒。

所以大S粒子是混合的，也是很多山寨内存条喜欢用的内存粒子。最好避开那些不够专业看懂粒子模型的DIY玩家。

当然，随着时间的推移，氧化镁像海力士一样努力，推出了一批容易获得高频且关键价格不贵的粒子，即氧化镁E-die，以5726MHz的分数打破了DDR4内存的超频记录。

菱镁矿E模是17世纪末菱镁矿生产的颗粒。只是在三星B-die停产之前，玩的人很少，直到19年才被有大国实力的DIY玩家发现。

在超频玩家手里，氧化镁E-die超频到4000MHz并不难，但是电压要提高的更高，定时也很难收窄。

虽然有一些瑕疵，但是镁E-die最近比较流行，因为目前镁E-die主要用在英瑞达的原厂内存，最低价格也就200多，非常实惠，可以称之为民用法拉利。

不同类型的镁电子模具颗粒之间存在物理差异。目前民间做法最好的是C9BJZ，其次是D9VPP，其他和普通的B-die没有明显区别。

如果给一个镁粒的序列，大概是E-dieC9BJZ>E-die D9VPP >其他E-die>B-die >大s。

看完每个总结，大家应该能明白哪些粒子比较好，但是这三个应该怎么排序在一起呢？

不要慌，这里边肖简单总结了一个简单的记忆粒阶梯表供大家参考，有需要的小伙伴可以保存。

那么记忆粒子呢？

一般来说，记忆颗粒的数量是表面的，但现在的记忆基本上都有马甲，普通消费者拆开马甲看颗粒是不现实的。

这时候一个方便的方法就是使用Thaiphoon Burner软件，可以读取内存中的各种信息。让我们教你如何使用它。

百度下载软件，直接打开，点击红框中的Read进入信息页面。

我的记忆是石泉出品，用的是Hynix Hynix颗粒。粒数以CJR结尾，模型也声明是C-die。显然，我的记忆使用海力士CJR颗粒。

以此类推，这个内存就是镁D9VPP E-die。

这款内存是三星专门为BCPB挑选的B-die。

但台风并不完全准确，根据其大数据估算，但也接近。想看的话，把软件更新到最新版本会更靠谱。

总结

其实除了少数热心DIY的玩家，记忆粒子的体质对大多数人影响不大。大多数人可以购买内存，打开XMP后默认使用。这个张文也是为极小的DIY爱好者准备的。

对于这部分发烧友，边肖最后给出了购买建议。

三星的B-die已经停产，现在只存在于价格较高的旗舰内存中，没必要太勉强。镁C9BJZ是很好的替代品。

目前，C9BJZ多用于马光旗下的英瑞达内存，某东平台自营的英瑞达ballistix 3000 MHz马甲条使用C9BJZ粒子的概率较大。

目前该内存因涨价脱销。喜欢折腾的玩家可以关注一下。