中国功率半导体领域领军人物、九三学社成员、中国科学院院士、中国电子科技大学教授陈星碧于12月4日17时10分在四川成都陈星碧逝世，享年89岁。
陈星碧，1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江浦江。1947年至1952年就读于同济大学电气工程系，先后在厦门大学、东南大学、成都电信工程学院工作。1999年当选中国科学院院士，2019年当选国际电工电子工程师协会终身会员。
陈星碧是中国功率半导体领域的领导者和大师。发表学术论文200余篇，获得中美两国专利40余项。他是世界上第一个提出超结击穿电压层理论的科学家。他的超结发明专利打破了传统的“硅极限”，被国际学术界誉为“高压功率器件的新里程碑”。本发明专利已成功转让并产业化，目前超结器件全球年市场销售额超过10亿美元。
陈星碧获得多项荣誉，包括两项国家发明奖和科技进步奖，13项省部级奖励。2015年，他获得了IEEE ISPSD授予的最高荣誉“国际功率半导体先锋奖”，成为亚太地区第一位获得这一荣誉的科学家。2018年，他入选第一届IEEE ISPSD名人堂，成为首位入选名人堂的中国科学家。
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