规格书 深入理解MOSFET规格书/datasheet

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作为一个电子工程师和技术人员，相信大家都很熟悉MOSFET。

当工程师想要选择某种类型的MOSFET时，他们首先需要看的是规格/数据表。当我们拿到MOSFET的规格/数据表时，如何理解从十页到几十页的内容？

本文的目的是与您分享我对MOSFET规格/数据表的理解和一些看法。请指出任何错误和不足。也希望大家分享一些自己的看法，一起学习。

PS: 1。后续内容中的规范/数据表称为数据表

2.本文中MOSFET数据表的截图来自英飞凌IPP60R190C6数据表

1、VDS

数据表上第一个电参数是V(BR)DSS，也就是DS击穿电压，也就是我们关注的MOSFET的耐压。

8、雪崩

EAS:单雪崩能量，EAR:重复雪崩能量，IAR:重复雪崩电流

其中VBR = 1.3bvdss，l是用于提供雪崩能量的电感器

雪崩能量的典型测试电路如下:

其中VBR=1.3BVDSS .

计算EAR后，比较数据表上的EAR值，如果在数据表的范围内，可以认为是安全的(这里是默认的重复雪崩电流

9.体内二极管参数

VSD，二极管正向压降= = >；这个参数不是关注的重点，trr，二极管反向恢复时间= = >:越小越好，Qrr，反向恢复电荷= = >:Qrr与MOSFET的开关损耗有关。QRR越小越好。trr越小，值就越小

10.不同拓扑结构金属氧化物半导体场效应晶体管的选择

根据拓扑结构不同，对MOSFET参数的要求有哪些不同？如何选择合适的MOSFET？

欢迎大家发表意见和看法

1).反激式:

由于变压器的漏电感，在反激中MOSFET会有一定的峰值，所以在反激中选择MOSFET时要注意耐压。一般全电压输入，MOSFET耐受电压(BVDSS)应在600V以上，一般为650V。

在二维码反激的情况下，为了提高效率，我们会在MOSFET导通的时候尽量降低谷底电压，然后我们需要取稍微大一点的反射电压，这样MOSFET的耐压值就高一些，一般选择800V的MOSFET。

2).功率因数校正、双管正激和其他硬开关:

a)对于PFC、双晶体管正向等常见的硬开关拓扑，MOSFET没有反激式那么高的VDS峰值，MOSFET的耐受电压通常可以是500V、600V。

b)硬开关拓扑的MOSFET开关损耗大。为了降低开关损耗，可以选择开关更快的MOSFET。Qg的大小直接影响MOSFET的开关速度，选择Qg较小的MOSFET有利于降低硬开关拓扑的开关损耗

3).软开关拓扑，如有限责任公司谐振和相移全桥:

LLC、移相全桥等软开关拓扑的软开关是通过谐振实现的，MOSFET的体二极管在MOSFET导通之前提前导通。因为二极管提前导通，所以当MOSFET导通时，二极管电流有反向恢复。如果反向恢复时间过长，会导致上下管直接连接，损坏MOSFET。所以在这种拓扑中，我们需要选择trr，Qrr小，也就是选择具有快恢复特性的体二极管的MOSFET。

4)反反向连接，或场效应晶体管

这种用法的作用是用MOSFET作为开关，正常工作时管始终导通，所以管内没有开关损耗，损耗主要是导通损耗。在选择这类MOS时，主要要考虑Rds(on)，而不是其他参数。

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