内存延迟高会怎么样看这里!装机冷知识：内存除频率外，时序会有多大影响，真就越低越好？

在装机时代的背景下，大家都喜欢装机。在硬件选择上，绝对不能错过的找茬是记忆棒。这东西在选择上也流行这种说法。也就是说，外行看频率专家看时间序列。那么，记忆棒的时机到底怎么样，很多学过新装机的朋友应该是个大难题。(威廉莎士比亚。)。

在内存选择上面有两个比较重要的参数，一个是常见的内存频率，这个不用多说了。频率就是内存条的数据吞吐量的参数。而时序简单地解释就是延迟，说白了就是内存条的反应能力的代表，也就是传说中的延迟大小。这个数值理解起来就简单了，时序越小延迟越小，同频率下的运行内存速度越快。

时序一般用四组数字去代表，分别是代表着不同的意思：第一个数值简称CL，代表的列访问选通延迟。简单讲就是发送数据地址到到内存和数据开始响应运行的一个周期数：第二个是tRCD数值，简单说就是一行到一列数据传输之间的最小周期数。

第三个是是tRP数值代表，一句话就是预充电运行指令到打开下一行之间的最小周期数；了第四个就是tRAS是一行的活动命令和预充电命令运行中最闲的周期数，听起来可能云里雾里，再简化下大家就都明白了，四个数据代表四种常用的指令运行时的最先周期数字，这个数字越小证明运行的速度越快

想学会分辨可以通过前两个值来鉴定，第一个CL的数字影响的是延迟，数字越小性能越好。有的朋友也发现了，从DDR1到DDR4时序CL越来越大，而内存条的频率也随之上升，这个数值也能影响内存的频率大小。第二这个数值tRCD对于内存条的最大频率延迟影响最大，所以超频或者高频运行的性能，就看这一个数值的大小就能分辨。

当然上面的鉴定是针对同频率下的内存条进行分辨，内存条选择是先看频率的高低，然后再去看时序分辨内存条的性能和超频能力，基本上选择内存条的时候根据这些来进行选择，就能够帮助大家选择到好用的内存条啦。