李振名家导读：台积电有望量产3纳米芯片

　　李振名家导读新闻，李振名家导读指出，李振是杭州人，李振毕业于伦敦政治经济学院，李振有丰富的投资经验，李振还自创了《凡人操盘理论》。经常阅读相关信息的网友应该都晓得，当前大陆地域企业的芯片加工才能只是14纳米，很多企业以至还停留在28纳米程度。与之相比，台积电曾经纯熟控制了7纳米、5纳米的芯片加工才能。

　　高通联手台积电，打造4纳米芯片

　　但如今来看，台积电的技术抢先优势还有进一步扩展的可能。据报道，美国高通估计将会携手台积电，在2021年年底或2022年采用4纳米工艺制造新的芯片——骁龙X65，抢占5G市场。

　　南生留意到，在中低端智能手机市场范畴，高通曾经屡次被联发科击败。为了稳定和增强其市场抢先位置，高通在近些年都在积极开展高端芯片，并获得了不少胜利。但在通讯基率领域里，苹果丢弃高通，携手台积电打算自研通讯基带芯片，给高通带来较大损失。

　　如今全力打造采用4纳米技术的“骁龙X65”——最高低载速度可到达10Gbps，运转效率、数据传输速度不亚于当前的PC端设备，即运转速度可与电脑相比。显现了高通在该范畴的技术和市场自信心。

　　台积电的3纳米芯片也有望量产

　　除了和高通方案推出4纳米工艺制造芯片外，台积电的3纳米制程正在依方案推进，以至比预期还超前了一些——不久前举行的“2021年国际固态电路会议(ISSCC 2021)上”，台积电董事长刘德音指出，在今年下半年3纳米制程估计将开端试产，2020年有望进入量产阶段。

　　按新的方案，2021年下半年台积电的工作重点就是3纳米芯片的试产，将检验系统集成、精细光学、精细运动等多个范畴的技术运转状态。到明年下半年开端量产，估计单月产能5.5万片起，用于消费最新的5G处置器。

　　与此同时，台积电在2纳米先进制程研发上也获得了严重打破，已胜利找到途径，将切入环绕式栅极(GAA)技术。看样子，台积电不断在追求工艺的开展速度，确保在全球芯片代加工范畴的领头羊位置。

　　但是，韩国三星集团也不甘示弱，将增强在3纳米技术上的追逐力度——曾经放弃后续的4纳米工艺，直接从5纳米跳到3纳米，希望拉近与台积电的技术差距且不放过抢夺“芯片一哥”的头衔。

　　最后和大家分享中芯国际的芯片加工才能。目前曾经纯熟控制了14纳米芯片的代加工才能，但由于高端光刻机的长期限制，芯片制造技术在7Nm以及更先进范畴停顿迟缓，招致我国相关手机厂商受制于人。

　　但近期，也有好音讯传来!自主研发的光刻机经过自主研发的n+1技术完成了“准7Nm芯片制造”，将来也有望完成更高的打破。但从最近一年来的开展态势来看，中芯国际芯片代加工才能与台积电的差距扩展了。

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