快速充电(QC)是为配备Qualcomm Primulation处理器的终端开发的快速充电技术。

截至目前,Qualcomm已经发布了四代快速充电技术,分别为Quick Charge 1.0,Quick Charge 2.0,Quick Charge 3.0和Quick Charge 4.0。

Quick Charge 2.0

与未采用该技术的产品相比,采用Quick Charge 2.0的产品充电时间最多可缩短75%。Quick Charge 1.0技术的充电功率约为10瓦,主要针对智能手机和平板电脑设计,而Quick Charge 2.0则可提供最高60瓦的功率,不仅能够加快智能手机和平板电脑的充电速度,而且增加对超薄笔记本等更大型移动计算终端的支持。

Quick Charge 2.0支持5V/9V/12V三种电压以及最高3A的电流。目前包括骁龙805、801、800、615和200在内的多款骁龙处理器已经支持Quick Charge 2.0。

Quick Charge 3.0

Quick Charge 3.0在同类产品中首次采用最佳电压智能协商(IntelligentNegotiation for Optimum Voltage,INOV)算法。INOV是由QualcommTechnologies开发的全新算法,旨在帮助便携设备具备选定所需功率电平的能力,以在任意时刻实现最佳功率传输,且最大化效率。

借助INOV和其他先进技术的Quick Charge 3.0,可实现比Quick Charge 2.0最高达38%的效率提升,同时还采用其他方法帮助保护电池寿命周期。此外,当与Qualcomm Technologies最新的、先进并联充电配置一起使用时,Quick Charge 3.0可以实现:与Quick Charge 2.0相比,帮助提高快速充电速度最高达27%,或减少功率损耗最高达45%;比Quick Charge 1.0快2倍的充电速度。

Quick Charge 3.0还带来了诸多方面的提升:在Quick Charge 2.0的基础上增强了灵活性,特别是在充电选项方面。Quick Charge 2.0提供5V、9V、12V三档充电电压,Quick Charge 3.0则以200mV增量为一档,提供从3.6V到20V电压的灵活选择。这将允许手机获得恰到好处的电压,达到预期的充电电流,从而最小化电量损失、提高充电效率并改善热表现。

Quick Charge 3.0能够与Quick Charge之前的版本及连接器(包括USBType-C)前向和后向兼容,并且拥有同样的超快充电速度,以及独立电路,为OEM厂商提供更灵活的选择,此外还有帮助达到质量和安全标准的UL认证。

目前包括骁龙820、620、618、617和430在内的多款骁龙处理器已经支持Quick Charge 3.0。

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