内存和硬盘的区别 内存和硬盘不断模糊化：未来电脑或将不再区分运存和外存

虽然量子计算机的概念很有吸引力，但不得不承认，它不可能在短时间内投入实际应用。目前，除了越来越多的CPU内核之外，高速存储介质的发展正引领着计算机性能的飞跃。

高速存储可以概括为两种，一种是更快的缓存，另一种是容量更大的存储级内存。它们的共同特点是断电后不丢失数据。也就是说，传统意义上的“运行记忆”会越来越像我们过去所说的“外部记忆”。

最近，英特尔宣布了STT-MRAM技术对CPU四级缓存的研究进展。分类，属于更快的缓存。目前原型产品的容量为2MB，无论是耐用性还是误码率，都可以满足作为片上L4缓存使用的要求。

2MB STT-MRAM原型产品的写入延迟为20ns，读取延迟为4ns，在110度时可以维持1秒的内存，对于频繁交换数据的CPU缓存来说已经足够长了。如果这项技术能够付诸实践，英特尔CPU也许能够在制造工艺落后的情况下找到新的性能增长点。

英特尔的重点是使用新的存储技术来提高CPU性能。东芝作为闪存的发明者，将注意力转向了新的高速闪存XL-Flash，它发展更快，可以部分替代内存的功能。

XL-Flash是一款经过神奇变化优化的3D SLC闪存。NAND闪存本身具有断电不损耗的特点。东芝通过使用SLC格式和优化4K页面和16-Plane架构，极大地提高了其随机读写性能，使其更接近内存使用。

目前，与非门闪存和动态随机存取存储器之间的性能差距仍然很大，甚至像东芝RD500这样的旗舰NVMe固态硬盘也无法与内存磁盘在性能上竞争。

但是在2020年XL-Flash量产后，我们可能会看到完全不同的新情况。

除了存储内存应用，东芝还计划将XL-闪存与3D QLC闪存结合使用，以整合前者的高性能和后者的大容量优势。

当然，在高新技术出现之初，必须基于企业级应用。存储极客推荐东芝最近推出的RC500 NVMe SSD，作为普通玩家现在可以购买的选择。作为主流机型，RC500完全继承了旗舰RD500的DRAM缓存。PCMark 8的实际性能评分堪比三星970Evo Plus、Western Digital Black Disk等旗舰车型，价格也只是后者的60%左右。