LED防止和减少热量:
与传统光源一样,半导体发光二极管(LED)根据整体发光效率在工作中产生热量。在家电能量作用下,电子和空穴的辐射复合会产生电发光,P-N结附近发出的光必须经过芯片(chip)本身的半导体介质和封装介质才能到达外部(空气)。集成电流注入效率、辐射发光量子效率、芯片外部光消除效率等最终只有大约30% ~ 40%的输入功率转化为光能,其中60% ~ 70%的能量主要以非辐射复合产生的点阵振荡的形式转化热量。
芯片温度升高,非辐射线复合增强,发光效率进一步减弱。因为,人们主观上认为高功率LED没有热量,事实上是这样的。大量热量在使用过程中出现问题。此外,很多首次使用大功率LED的人不知道如何有效地解决散热问题,因此产品可靠性成为主要问题。那么,LED到底会不会发热?能产生多少热量?LED产生的热量到底有多少?
LED在正向电压下,电子从电源获得能量,克服电场驱动的PN结的电场,从N区跳到P区,这些电子与P区的空穴复合。漂到P区的自由电子,由于P区原子比电子具有更高的能量,所以复合时电子会回到低能量状态,多余的能量会以光子的形式释放出来。发出光子的波长与能量差Eg有关。
发光区域主要在PN结附近,可见发光是电子和空穴复合释放能量的结果。半导体二极管、电子在进入半导体地区、离开半导体地区的所有行程中遇到阻力。(威廉莎士比亚、半导体、半导体、半导体、半导体、半导体、半导体、半导体、半导体、半导体、半导体)从原理上可以简单看出,半导体二极管的物理结构从半导体二极管的物理结构源阴极发出的电子和返回阳极的电子数量是相同的。普通二极管、电子孔对的复合体由于能级差Eg的因素而发出的光子光谱不在可见光范围内。
电子在二极管内部的行程中由于电阻的存在而消耗电力。
消耗的电力符合电子学的基本规律。
P=I2 R=I2(RN RP) IVTH
格式中:RN是N区体电阻,RP是P区体电阻。
消耗的电力产生的热量如下:
Q=Pt
格式中:t是二极管供电的时间。
本质上,LED仍然是半导体二极管。因此,当LED正向工作时,LED的工作过程与上述说明一致。它消耗的电力如下。
P LED=U LED TImesI LED
中:U LED是LED光源两端的纯电压
I LED是通过LED流动的电流。
这些功率被转换成热量释放。
Q=P LED TImest
格式中:t是开机时间
实际上,当P区和空穴复合时,电子释放的能量不是由外部电源直接供给的,而是因为当这个电子在N区时,没有外部电场时,它的能量水平比P区的原子在电子能量水平上的Eg高。到达P区后,与空穴复合,当P区的原子变成电子时,释放的能量比N区多。Eg的大小由材料本身决定,与外部电场无关。外部电源对电子的影响是促进方向移动,克服PN结的作用。
LED的热量与光效率无关。百分之几的电产生光,其中百分之几产生热关系。通过大功率LED热生成、热阻、接头温度概念的理解和理论公式推导及热阻测量,研究了大功率LED的实际封装设计、评价和产品应用。热量管理是LED产品发光效率不高的现阶段的重要问题,从根本上说,提高发光效率以减少热量的产生是父系吸热级。这就需要芯片制造、LED封装和应用开发各部分的技术发展。
如何选择LED的IC驱动程序?
LED行业发现,使用恒压源驱动器并不能保证LED亮度的一致性,而且会影响LED的可靠性、寿命和光衰减。因此,超高亮LED通常使用恒流源驱动。恒流电源消除了正向电压变化引起的电流变化。因此,无论正向电流的变化如何,都可以产生恒定的LED亮度。很容易产生恒流电源。不需要调整电源的输出电压,只需要调整通过电流检测电阻器的电压。
因此,我们必须选择高精度恒流源LED驱动芯片,以便在各种LED照明产品中轻松使用电路。在宽电压输入范围内,保证极高的输出电流精度,使LED照明在宽光源照明区域保持均匀亮度。该系列具有较低的drop-out压降、稳定的负载和功率调整率,即使照明电路的电源和负载变化范围较大,也能保持LED亮度稳定,最大限度地延长LED寿命。该系列的VDD针脚可与数字PWM控制线路一起用作输出能源(OE)功能,从而提供更准确的调光应用程序。
此外,准确的低压锁和过热保护功能以及防静电设计,可设计、安装和应用整个照明系统。显示高质量的LED照明驱动器。
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