这是可以正常使用的昌维8S16电池板。接下来,iFix团队将为Android智能主板编写Nand的新算法,自动识别跳过坏块,重新组织数据,以完全达到数据丢失的目的。(威廉莎士比亚,《北方司法》前情提要)。
现在,从普通主板备份系统软件开始,从普通主板上删除Nand Flash。
放入NAND闪光转换片。
点智能识别,选择NAND FLASH后确认,芯片型号自动识别。
读取点、弹出式保存文件名、编辑可识别的文件名后保存点。
开始阅读,耐心等待阅读完成。
除此之外,我还将介绍Nand Flash的位反转知识。(约翰f肯尼迪)。
Nand Flash中的位反转现象主要是以下原因/效果造成的:
1.漂移效果:漂移效果意味着cell在NAND闪光灯中的电压值逐渐变化,与原始值不同。
2.由于写入干涉而导致的错误:这种现象也称为过度写入效果。对于页面写入,该位的数据将永久更改。也就是说,Nand Flash中的这个位值发生了变化。
3.由于读取操作干扰导致的错误:此效果是对一页执行数据读取操作,但在其他不相关页面的一个位上发生跳转。
如果只是一个位置的跳跃,也许问题看起来不太严重。但是,如果碰巧有任何重要文件的任何变化,问题就会很严重。如果位反转,读取数据时只读取报告的位反转,那就很简单了。再读一遍数据就能解决这个问题。但是,如果Nand Flash的物理位实际上颠倒了,则必须通过相应的ECC验证来解决。
与Nor Flash相比,Nand Flash中的位反转现象相对容易发生。因此,Nand Flash制造商建议在使用Nand Flash时应用ECC算法。当Nand Flash应用于多媒体信息(如保存音频和视频文件)时,位反转引起的问题并不严重。在存储操作系统、配置文件和其他重要信息时,应使用ECC进行数据验证
,保证数据的正确性。所以在实际维修中,iFix给出的建议是Nand Flash尽量用原型号,不要买残次品,读写时候保持引脚干净,引脚及芯片上的残留助焊剂必须彻底清洗并用风枪吹干。备份成功后,取下母片,放入一片空白的Nand Flash。
然后点设置,弹出来的小窗口有硬拷贝和跳过坏块并重组数据,我们选跳过坏块并重组数据。
将前面备份好的文件拖入编程器操作界面后点“写入”,也可以直接点“写入”选择文件。
可以看到算法已更改为跳过坏块并重组数据。
遇到坏块会自动跳过,并自动重组数据保证数据的完整性。
取下写好的Nand Flash放入智能主板。
主板上电,验证写入结果。完美开机,验证成功!
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