【怎么测量场效应管】Fet极性判别方法！

场效应结构和原理

做检查要知道结构和原理，首先要谈谈结构和原理

场效应晶体管(FET)具有高输入电阻、低噪声、热稳定性、便于集成等优点，在电子电路及大电流、高压电路中得到广泛应用。需要确定正确的使用、场效应管的针脚、极性。和三极管一样，要熟练地辨别场效应管的引脚、极性，首先要了解其结构和原理。场效应管的引脚有栅极G、漏D、源S三个电极(双栅极管有四个电极)。根据Fet (JFet)、绝缘栅fet (MOS)、绝缘栅FET(绝缘栅fet effect)，冷凝场效应管的“接头”为PN结，绝缘栅场效应管的绝缘栅为栅极和源极，漏极之间存在SiO2绝缘层。根据导电沟的性质，结型场效应管和绝缘栅场效应管分为场效应(N)信道、霍尔(P)信道，这是场效应管的导电信道。场效应管属于单极性晶体管，三极管属于双极晶体管。也就是说，前者只由一个载体传导，后者由两个载体传导。场效应管属于压力控制晶体管，通过栅极和源极之间的电压变化改变通道的导电性。三极管是电流控制型晶体管，通过电流的变化改变集电极电流大小。接头fet结构：

接头fet结构，符号图

从结构上看，结场效应管具有以下特点：1.泄漏D和源S之间的半导体类型相同。也就是P型或N型半导体。它们之间的正向电阻相同，电阻值相对较小。2.栅极G连接半导体类型始终与漏D、源S连接半导体类型不同。3.栅极G与漏极、源极之间存在pn连接，pn连接的正向电阻小，反向电阻大。连接场效应管的工作原理：向栅极和源极添加反向压力会改变pn连接厚度，从而改变导电通道的导电性。绝缘栅场效应管结构：

强化绝缘栅场效应管

贫化绝缘栅场效应管

绝缘栅场效应管中的寄生二极管

改进的MOS管在结构上为1 .在电网G和泄漏D、源S之间绝缘，它们之间的阻力是无限的。2.没有外部电压时，泄漏极和源极之间是行不通的。改进后的NMOS管以P型硅为基底(也称为衬底)，泄漏极与N半导体连接，衬底与源极连接，因此P型衬底和泄漏N型半导体形成了称为寄生二极管的二极管。因此，泄漏极和源极之间的反向电阻很小。改进的MOS管工作原理：在栅极和源极之间添加正向电压，达到特定值后，将形成导电沟，改变电压将改变导电沟的宽度和导电性。枯竭型MOS管在结构上为1 .闸门和泄漏，源极绝缘，它们之间的阻力是无限的。2.漏极和原极之间可以相通，沟在制造时已经形成。通过在栅极和源极之间添加反向电压，改变电压会改变导电通道的宽度和导电性。检测方法

首先，连接fet fet的泄漏和源极在制造过程中是对称的，因此可以交换阳极，不影响正常工作。通过确定栅极和通道类型，在R 100文件上拨出多米，测量场效应管的两个极之间的电阻，一次一个，有以下情况：1 .如果两个测量的电阻值相同或相似，则该极为泄漏D，源S，其余为栅极。然后红笔不动，黑笔与格子接触，电阻值大时测量pn节逆电阻，黑笔接收N，红笔接收P，所以管子

p沟道,反之就是n沟道；

2.若两次测得的是一大一小，表明其中一个就是栅极，另一个就是漏极或源极。以阻值小的那一次为准，红笔不动，黑笔接另一个极，如果阻值小，并且与黑笔换极前测得的阻值相等或相近，则红笔接的是栅极，且该管子为p沟道；如果测得的阻值与黑笔换极前测得的阻值有较大差距，则黑笔换极前接的是栅极，该管子为n沟道场效应管；

或者直接任意测量两极之间的正反向电阻，遇到第一种情况，即可判别栅极，这种比较简单。

有兴趣的朋友可以试测一下3DJ6结型场效应管，该管子为电子型导电沟道；

3DJ6结型场效应管

• 二、绝缘栅场效应管
• NMOS增强型管‘
• 1.电极检测
• 正常的增强型NMOS管的栅极与漏极、源极之间均无法导通，它们的正反向电阻均无穷大，在G极无电压时，DS之间无沟道形成，但由于漏极源极之间存在一个反向寄生二极管，故漏极源极之间的反向电阻较小；
• 选择R×1kΩ，测量各脚之间的正反向电阻；
• 当出现一次阻值较小时，红笔接的是漏极，黑笔接的是源极，余下的引脚就是栅极
• NMOS耗尽型管
• 基本过程同上，源极、漏极能够导通，但由于反向寄生二极管的存在，两次的电阻是有差异的。
• 有兴趣的朋友可以测试一下2N60C绝缘栅场效应管，该管子为增强型，电子型沟道。

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