一、fet分类

场效应管连接类型、绝缘栅类型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘型栅场效应管(JGFET)因与晶格不同的电极完全绝缘而得名。目前绝缘栅场效应管中应用最广泛的是MOS场效应管,即MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管)。此外,还有PMOS、NMOS、VMOS功率场效应晶体管、最近上市的MOS场效应晶体管、VMOS功率模块等。

沟也有结晶型和绝缘型各粉道和P沟两种,具体取决于半导体材料。用导电的方式划分,场效应管又可以分为枯竭型和增强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管均为耗尽型并强化。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。MOS场效应晶体管分为N槽耗尽型和增强型。p沟枯竭类型及改进的四大类。请参见下图

二、场效应晶体管模型命名方法

目前有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同。第三个字母J代表结场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二个字母代表材料,D是P型硅,反转层是N沟。c是N型硅P沟。例如,3DJ6D是节点N通道场效应三极管,3DO6C是绝缘栅格N通道场效应三极管。第二种命名方法是CS#,CS表示场效应管, 表示型号序列号为数字,#表示同一型号内的不同规格为字母。示例:CS14A、CS45G等。

三、fet参数

Fet有很多参数,包括DC参数、AC参数和限制参数,但通常侧重于以下关键参数:

1、I DSS-饱和泄漏电流。表示结型或耗尽型绝缘栅极场效应管中栅极电压U GS=0时的漏源电流。

2、up-钳位电压。表示结型或耗尽型绝缘栅场效应管中漏源之间膜关闭时的栅电压。

3、ut-打开电压。在改进的绝缘栅场效应管道中,表示泄漏源之间刚通时的栅电压。

4、GM-跨导。栅极源电压UGS-对漏电流I D的控制能力,即漏电流I D变化量与栅极源电压UGS变化量之比。GM是衡量fet放大能力的重要参数。

5、buds-泄漏源屈服电压。栅极源电压UGS是指场效应管在一段时间内能正常工作的最大漏源电压。这是一个限制参数,添加到现场效果管中的工作电压必须小于BUDS。

6、pdsm-最大耗散功率。也是极限参数,表示场效应晶体管性能不差时允许的最大泄漏源耗散功率。使用时,场效应管的实际功耗应小于PDSM,并留出一定的余量。

7、idsm-最大泄漏电流。限制参数,表示场效应管正常工作时排水管之间允许的最大电流。Fet操作电流不能超过IDSM

几种常用场效应晶体管主要参数

四、fet的作用

1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗高,耦合电容器可能容量小,不需要使用电解电容器。

2、场效应管的高输入阻抗非常适合阻抗转换。多电平放大器的输入级常用于阻抗转换。

3、场效应管可以用作可变电阻。

4、fet很容易用作恒流源。

5、场效应管可以用作电子开关。

五、fet测试

1、识别接合fet销

场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表放在R1k文件中,用两支表笔分别测量两个针脚之间的正负电阻。如果两个销之间的正、反向电阻均为K,则两个销为泄漏D和源极S(可互换),其馀销为栅极G。对于具有4个针脚的连接场效应管,其他极为屏蔽极(活动接地)。

2、闸门的确定。

万用表黑色表笔接触管道上的一个电极,红色表笔分别接触另外两个电极。如果两次测量的电阻值都很小,都是正向电阻,这个管子属于N沟场效应管,连接到黑钟笔的也是格子。

制造过程决定了fet的源极和漏极是对称的,可以互换

使用,并不影响电路的正常工作,所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。 注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高,栅源间的极间电容又很小,测量时只要有少量的电荷,就可在极间电容上形成很高的电压,容易将管子损坏。

3、估测场效应管的放大能力

将万用表拨到R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G,将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用,UDS和ID都将发生变化,也相当于D-S极间电阻发生变化,可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小,说明管子的放大能力较弱;若表针不动,说明管子已经损坏。

由于人体感应的50Hz交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同,因此用手捏栅极时表针可能向右摆动,也可能向左摆动。少数的管子RDS减小,使表针向右摆动,多数管子的RDS增大,表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何,只要能有明显地摆动,就说明管子具有放大能力。本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS场效应管,必须用手握住螺钉旋具绝缘柄,用金属杆去碰栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极上,将管子损坏。

MOS管每次测量完毕,G-S结电容上会充有少量电荷,建立起电压UGS,再接着测时表针可能不动,此时将G-S极间短路一下即可。

目前常用的结型场效应管和MOS型绝缘栅场效应管的管脚顺序如下图所示。




六、常用场效用管

1、MOS场效应管

即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管,符号如图1所示。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。耗尽型则是指,当VGS=0时即形成沟道,加上正确的VGS时,能使多数载流子流出沟道,因而“耗尽”了载流子,使管子转向截止。

以N沟道为例,它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+,再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通,二者总保持等电位。图1(a)符号中的前头方向是从外向里,表示从P型材料(衬底)指身N型沟道。当漏接电源正极,源极接电源负极并使VGS=0时,沟道电流(即漏极电流)ID=0。随着VGS逐渐升高,受栅极正电压的吸引,在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子,形成从漏极到源极的N型沟道,当VGS大于管子的开启电压VTN(一般约为+2V)时,N沟道管开始导通,形成漏极电流ID。




国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4(以上均为单栅管),4DO1(双栅管)。它们的管脚排列(底视图)见图2。

MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起,或装在金属箔内,使G极与S极呈等电位,防止积累静电荷。管子不用时,全部引线也应短接。在测量时应格外小心,并采取相应的防静电感措施。

MOS场效应管的检测方法

(1)准备工作

测量之前,先把人体对地短路后,才能摸触MOSFET的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通,使人体与大地保持等电位。再把管脚分开,然后拆掉导线。

(2)判定电极

将万用表拨于R×100档,首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大,证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧,其中阻值较小的那一次,黑表笔接的为D极,红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品,S极与管壳接通,据此很容易确定S极。

(3)检查放大能力(跨导)

将G极悬空,黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之,可用手分别触摸G1、G2极,其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。

目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管,平时就不需要把各管脚短路了。

MOS场效应晶体管在使用时应注意分类,不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高(包括MOS集成电路)极易被静电击穿,使用时应注意以下规则:

(1)MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中,切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起,或用锡纸包装。

(2)取出的MOS器件不能在塑料板上滑动,应用金属盘来盛放待用器件。

(3)焊接用的电烙铁必须良好接地。

(4)在焊接前应把电路板的电源线与地线短接,再MOS器件焊接完成后在分开。

(5)MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。

(6)电路板在装机之前,要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子,再把电路板接上去。

(7)MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下,最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。

VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(左右0.1μA左右),还具有耐压高(最高可耐压1200V)、工作电流大(1.5A~100A)、输出功率高(1~250W)、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身,因此在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。

众所周知,传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上,其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同,从左下图上可以看出其两大结构特点:第一,金属栅极采用V型槽结构;第二,具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流动,而是自重掺杂N+区(源极S)出发,经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区,最后垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示,因为流通截面积增大,所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层,因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。



国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等,典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。表1列出六种VMOS管的主要参数。其中,IRFPC50的外型如右上图所示。

VMOS场效应管的检测方法

(1)判定栅极G

将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大,并且交换表笔后仍为无穷大,则证明此脚为G极,因为它和另外两个管脚是绝缘的。

(2)判定源极S、漏极D

由图1可见,在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。

(3)测量漏-源通态电阻RDS(on)

将G-S极短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同,测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。

(4)检查跨导

将万用表置于R×1k(或R×100)档,红表笔接S极,黑表笔接D极,手持螺丝刀去碰触栅极,表针应有明显偏转,偏转愈大,管子的跨导愈高。

七、场效应管与晶体管的比较

(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。

(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。

(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。

(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

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