【主板怎么测内存供电】技术GA-H61M-DS2主板启动电路分析

一、大气条件生成原理

1.实时时钟电源RTCVDD

BAT电池电压VBATT，通过RB电阻重命名为VBAT，用IO检测电池功率，在肖特基D2的1英尺处，从3发输出RTCVDD电压，为网桥RTC电路供电。

2.重置实时时钟RTCRST#

RTCVDD电压通过R234电阻器和C95组成的RC延时电路获得- RTCRST高电平，通过电阻R230传输到CMOS跳线帽CLR_COMS。第二种方法通过腿部的RTCRTS#脚传递，重置腿部内部的RTC电路。

3.实时时钟频率32.768KHZ

桥接收VCCRTC、RTCRST#后，为X2晶振供电，晶振在桥的RTC电路中产生32.768KHZ频率，桥内部RTC电路开始工作。

4.PCH备用电源3VDUAL_PCH

将电源连接到电源，提供电源输出5VSB电源，通过Q62降压获得3.3V的3VDUAL_PCH备用电压，为网桥和IO芯片提供备用电源。

5.深度休眠电源VCCDSW

3VDUAL_PCH同时为桥梁的VCCDSW点提供深度休眠电源。

深度休眠电压好信号DPWROK

3VDUAL_PCH通过R360和R361电阻分压后传递到Q35的B极，通过控制Q35传导拦截Q34，通过R348电阻将高水平PCH_DPWROK信号升高到腿部，表明板深度休眠电源正常供电。

7.5V双电源5V双

通过功率输出5VSB大气电压、R435和R434电阻分压获得2.5V电压、比较器U8A的2发和U8B的6发。待机时VCC，12V没有输出，比较器正输入端电压小于负输入端电压，输出低。分别发送到Q53和Q69的G极，Q69传导、Q53截止、5VSB通过Q69转换为5V双电压输出。通电后VCC输出5V电压、12V输出12V电压，通过电阻分压发送到比较器正输入端，比较器正输入端电压大于负输入端电压，比较器输出高电阻状态，通过12V拉到12V高电平，分别发送到Q53和Q69，通过Q53传导、Q69截止、VCC通过Q53转换到5V。

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8.PCI-E待机供电3VDUAL

5VDUAL电压通过Q66降压为3.3V的3VDUAL待机电压，给PCI－E插槽提供待机供电。

9.待机电压好信号-RSMRST

IO得到3VDUAL_PCH待机供电后，从116脚输出高电平的RSMRST#信号，通过R412电阻上拉为3.3V，发送到桥表示主桥待机供电正常。

－RSMRST#信号同时受控于桥的－DEPSLP信号（待机供电开启SLP_SUS），桥输出高电平的－DEPSLP信号使D9截止，Q63导通，MOS管Q58截止，－RSMRST#信号通过前面上拉为高电平。

二、 触发信号产生原理

1.触发信号 -PWRBTSW

开关针通电阻上拉为3.3V电平，触发开关产生3.3V－0V－3.3V跳变的触发信号-PWRBT1，通过电阻R364改名为-PWRBTSW,送到IO芯片IT8728的106脚。

2.上电请求 PWRBTSW

IO芯片收到触发信号，并且待机电压正常后，从103脚输出3.3V－0V－3.3V跳变的PWRBTSW信号，送给桥请求上电。

3. 桥收到上电请求信号，并且待机条件正常后，输出待续高电平3.3V的-S4_S5和-SLP_S3信号。-S4_S5信号去开启内存供电,-SLP_S3信号给IO芯片表示允许上电。

3.1内存供电DDR15V

5VDUAL一路通过D3、R396给芯片ISL6545的5脚供电，另一路通过电感L4给Q42的D极供电。芯片通过内部给1脚供电。7脚得高电平的DDR_EN信号后，芯片从2脚和4脚分别输出上下管驱动信号，控制上下管交替导通，将5VDUAL降压得到DDR_15V内存供电。

内存供电开启信号DDR_EN

桥输出高电平的-S4_S5信号通过R415电阻送到三极管Q60的B极，使Q60导通，Q61截止，通过芯片ISL6545内部上拉得到高电平的DDR_EN信号。

4.开启上电PSON#

IO芯片收到-SLP_S3高电平的上电允许信号后，从107脚输出持续低电平的-PSON信号，送给ATX电源。

5.完成上电

ATX电源收到PSON信号拉低绿线后，电源开始工作输出VCC3、VCC、+12V等主供电，完成上电。