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【场效应管怎么测量】MOS fet的优缺点、测量好坏判断、与三极管比较。

在互联网上总是可以找到各种零部件说明、测量、使用,但总觉得模糊、太专业、太简单,或者对一般应用来说,不是通俗易懂的。我还建议一般的场效应管(主要是强化的NMOS,不包含复杂的原理),包含不适当的部分。[捂脸],大神们可以跳过。

简要说明:电压控制装置。当栅极电压为零时,有更大的泄漏电流,称为耗尽型。当栅极电压为0时,泄漏电流也为0,只有添加特定的栅极电压,泄漏电流才称为增强。

分类和符号:

分类

符号

重要参数:

Vds耐压:组件分离状态下泄漏,源极可以承受的最大电压Id饱和电流Rds传导阻抗Vgs(th)栅极阈值电压开关条件:Ug Us、Ugs Ugs(th),信号切换时相差3-5V,开关状态大于10V优点:输入阻抗

缺点:对静电敏感,容易刺穿。

与三极管相比:

主要应用:信号交换、电子开关

典型的物理和针脚分布:

物理和针脚分布

极性判断:

接合极性判断,D、S可互换

改进的NMOS极性判断

测量,判断好坏:以5N60C为例,资料如下。

N通道MOS管,带保护二极管

数字万用表二极管文件:红色笔连接G极、黑色钟笔连接S极(主要用于栅极电压)。红色表笔为S极,黑色表笔为D极,此时万用表响起(相当于电网压力下的传导)。在第二阶段进行的过程中,用手触摸G极,声音就会停止。(或者用金属短连接G、D极,然后进行到第二步,就不会响了。)没有格栅压力时,红色桌笔为S极,黑色桌笔为D极,一般只显示二极管的压降610,反接合1100多个。一般来说,通过上述步骤可以判断这个MOS管道是好的。为了避免损坏,有条件测量专业仪器。

注意:MOS管易受静电影响,操作时请注意接地和防静电处理。各剧短路后应存放在防静电袋中。此外,数字万用表电压高,该测量适用于功率高(耐压值高)的管道。

参考资料:MOS fet

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