【功放有什么保护电路】MOS-FET高保真放大器电路

各种各样的晶体管功率放大器电路已经太复杂了，熟悉电路的人都能背出几幅画。

但是不变的是在经典差分放大器电路的基础上修改变化。有些补偿温度特性，如“互补对”管道。有些优化了频率特性，如“通用基本通用”管道。有些人增加了像复合管一样的放大能力，有些人精确控制电源，采取“稳定器、暖流”措施来辅佐等。辅助性电路多，故障率高，混音可能性高，分布参数等引起的不稳定性增大，完全不知道事情不如意。

正确设计或选择功率放大器电路的方向是根据：功率放大器电路的主体1功率放大管的特定参数设计或选择电路。这被称为“适合监管”。此外，现在的放大器在放大、频率、高电流特性方面已经非常完备。

下面推荐的这个电路是由公司的电力MOS- FET (SIMOS)开发的新型功率放大器电路，如西门子(Siemens)著名专家Schneier老师(图1)。

这种MOS-FET放大器的主要特征之一，电路很简单。M0S-FET放大器是金属封装知名品牌BUZ23(T0-3)。该管道的放大特性、高电流特性、频率特性等可以说是当代的一流！日本人所谓的“明石”，相当于2A3、300B和KT88被称为“明石”。用作老化、配对差分推管，可以节省频率补偿等许多辅助电路。

你知道，场效应晶体管有N通道、P通道点。人们通常配有两种管子，组成“互补对”，进行差分推进。复合管、达林顿电路、互补等加成在早期晶体管的放大特性、频率特性、高电流特性尚不完善的情况下运用非常好。

但是今天，完美制造工艺水平生产的一代“名管”实际上，性能一致的“互补对”是理论上的，两种管道制作材料不同，工艺不同，实际性能总是很难，所以这台机器采用了相同的型号管道。(威廉莎士比亚、温斯顿、制造、制造、制造、制造、制造)图2是这种新型放大器的主电路。输入电平由NPN同型号晶体管(25C2003)T1、T2组成，工作点电流约为0.5毫安。第二级由PNP同型号晶体管(2SA733)T12、T13差分对激励，工作点电流约为4mA。最后，扩大到T15、T16(BUZ23)，使主电路单一简洁。

特征2、完美的共模抑制，数字时代市电网络的电磁脉冲“污染”非常严重，电力净化势在必行。电路噪声、热噪声、热稳定性等是电路设计者需要解决的问题。幸运的是，上述问题对电路的影响都属于“共模”问题。完美的共模抑制可以完全拒绝上述问题对电路的干扰！在图2中，

T3、T4、T5组成稳定类调节器电路，连接到一级差分放大的发射极电路。该供电系统对共模信号的内阻大，对共模抑制非常有利。T9、T10、T11构成二级稳定类调节器电路。稳定流量调节功能相同。

电路一级选择NPN管道，二级选择PNP管道的主要目的是简化电源。在多级直流放大器中，如果在所有级别上选择同极性晶体管，电源电压值也会随着层数的增加而增加。如果交错选择不同极性的晶体管，这个问题就不存在了。T14是放大器级过电流保护管。在图中，T3、T4、T11和T14晶体管的型号为2SC945。T5、T9、T10、T12和T13晶体管型号为2SA733。特点3 :出色的保护电路。

晶体管放大器除了具有良好的放大特性、频率响应特性外，热稳定性、热保护和过流保护也是必不可少的。在图1中，T6、T7、T8和热敏电阻构成热保护电路。基本原理是：随着环境温度上升，热敏电阻减小，T6管电流增加，T7管工作电压降低，T8管电流减少，二次工作电流减少，从而降低功率放大器系统电流。自动有效地避免了因温度上升电流而上升的恶性循环。最简单的热保护电路是图2中添加了T9、T10的基极的12k()热检测(NTC制作)支路，由于温度上升，基极电位变为正数，从而减少了二次工作电流，从而避免了由温升电流引起的恶性循环。功率放大级在大电流大功率状态下工作，因此放大器必须产生高热。因此，必须采取发热措施，本国也不例外。

过流保护电路是这台机器的另一个特点。T14是放大器级过电流保护管。图1中的功率放大器源极连接0.270/11W电阻是采样电路。如果电流大于特定的“阈值”，则在其上生成的电压将添加到T14的基座上工作，从而减少该水平的输入电流，从而达到过流抑制的目的。

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