【电磁炉上的igbt是什么】IGBT管检测和更换

一、IGBT识别

1.IGBT的组成和特点

绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)由场效应管和大功率双极晶体管(IGBT)组成，IGBT集场效应管的优点与大功率双极三极管的大电流低传导电阻特性相集成，是一种优秀的高速高压半导体电源设备。它具有以下特点：一是电流密度高，是场效应管的几十倍。二是输入阻抗高，栅极驱动功率小，驱动电路简单。第三，来自指定芯片尺寸和U(BR)ceo的电阻Rce(on)不超过场效应RDS(on)的10%的低传导电阻。第四，刹车片电压高，安全工作空间大，暂态功率高时不容易损坏。五、开关速度快、关闭时间短、内压为1 ~ 1.8KV的IGBT的关闭时间约为1.2s，内压为600V的IGBT的关闭时间约为0.2s，仅占双极型三极管的10%，接近功率型场效应管，开关频率为10因此，IGBT克服了高电压、高电流下产生的传导电阻大、热量大、输出功率低的严重弊端。因此，IGBT被广泛用作电磁炉内电力逆变的开关装置。它的实物形状和电路符号如图2-87所示。

IGBT的G极是栅极或控制极，就像场效应管一样。c极和普通三极管一样，是集电极。e剧是发射剧。

2.IGBT的主要参数

IGBT的主要参数和大功率三极管基本相同。主要参数为U(BR)ceo、PCM、ICM和。其中，U(BR)ceo是表示IGBT的C极和E极之间的最大反向屈服电压的最大反压。ICM是表示IGBT的C极最大输出电流的最大电流。PCM是最大耗散功率，表示IGBT的C极最大耗散功率。是IGBT的放大率。

二、IGBT测试

检测带有阻尼管的IGBT时，C、E极之间的正向传导压降和二极管相同，如下图(A)所示。C、E极间反向传导压降和其他极间传导压降为无穷大(显示溢出值1)，如下图(B)所示。没有阻尼管道的IGBT具有无限的三极正反向传导压降值。

三、IGBT的更换

在维修中，IGBT的更换原则与三极管一样，必须坚持“类别相同，特性相似”的原则。“类别相同”意味着在交换中必须选择相同品牌、相同型号的IGBT。这意味着N通道管道更换N通道管道，P通道管道更换P通道管道。“类似属性”是指在交换中必须选择的参数、形状和针脚相同或相似的IGBT。此外，如果用带有二极管(阻尼管)的IGBT替换不带阻尼管的IGBT，则必须移除电路板上的阻尼管。使用不带阻尼管的IGBT替换带阻尼管的IGBT时，必须在C、E极销上添加阻尼管。下面介绍了常见的IGBT参数和替换方法。

GT40T301是东芝的产品，内压为1500V，最大电流为25到80A，100到40A，由于没有阻尼管，因此SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、GTT40Q321

GT40T101是东芝的产品，内压为1500V，最大电流为25到80A，100到40A，内部有阻尼管，可以用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、IGBT更换。

GT40Q321是东芝的产品，耐压为1200V，最大电流更换为25到42A，100到23A，内部有阻尼管，可以更换SGW25N120、SKW25N120、SGW25N120。

GT60M303是东芝的产品，内压为900V，最大电流为25到120A，100到60A，内部有阻尼管。

SGW25N120是西门子的产品，内压为1200V，最大电流为25C至46A，100C至25A，内部没有阻尼管，因此在替换SKW25N120时，必须在C、E极安装8A/1200V以上的快速恢复管。

SKW25N120是西门子的产品，内压为1200V，最大电流为25到46A，100到25A，内部有阻尼管，因此用IGBT更换SGW25N120时，必须去除最初配套的阻尼管。