【东芝169热敏电阻在什么位置】东芝半导体的新SiC-MOSFET，强大性能一览无遗。

东芝今天在官网上发布了新开发的SiC-MOSFET设备—MG800FXF2YMS3。

据悉，该新产品是安装兼容性高的iXPLV(智能软包装低压)封装，满足了铁路车辆逆变器和转换器、可再生能源发电系统等工业应用对高效小型设备的需求。

此外，新开发的SiC-MOSFET模块还采用了业界标准封装以及实现低寄生电感的SDB芯片。

新模块适用于光伏逆变器、工业逆变器、铁路车辆逆变器、转换器等，通过高速开关和低损耗操作，可以进一步帮助工业设备的小型化和轻量化。

新颖的结构设计和独特的性能

新的MG800FXF2YMS3模块使用新开发的iXPLV包，进一步优化了操作电路特殊结构。这个新的软件包引入了两个用于温度检测的热检测传感器和一个用于电流检测的电感。这样，模块的温度可以使用安装在iXPLV上的热敏电阻(热敏电阻最大额定电压7.1伏，最大额定电流5毫安(建议电流100A)，最大额定功率10毫安，工作温度范围-40至150，最大额定范围内的热敏电阻对进行自我监控。

同时，MG800FXF2YMS3可以在IGBT不工作的高频电路中驱动高速开关电路，从而降低逆变器系统的材料成本，进一步提高部件的可靠性，降低维护成本。

同时，为了让大家更清楚地了解产品的性能特性，MG800FXF2YMS3在功能测试中随机抽取市场上友商生产的产品进行测试比较，得到了以下完整的测试结果：

碳化硅功率模块的新封装(iXPLV)

可靠性是碳化硅装置使用有限的主要问题。高压电源模块中使用的应用不仅需要半导体芯片，而且封装本身也必须具有很高的可靠性。东芝通过新的银(Ag)烧结技术进行芯片焊接，实现了有效提高封装可靠性的目标。

目前，碳化硅封装中功率密度增大，开关频率提高，焊接性能下降，难以抑制芯片随着时间的推移而增加的传导电阻。银烧结技术可以显着减少这种退化。银烧结层的热阻只有焊接层的一半，因此模块的芯片可以更接近，从而减小尺寸。

通过改进银烧结技术提高可靠性[3]

东芝纯碳化硅部件正在逐渐量产

2021年9月，东芝电子零部件(上海)有限公司分立零部件应用技术部高级经理屈兴国在行业展览会上接受采访时表示：“东芝的纯碳化硅产品也是工业用产品，目前没有车辆用碳化硅产品，但车规级纯碳化硅零部件已经计划好了。”

另外，在生产能力方面，东芝预计对EV的需求将迅速扩大，东芝半导体运营商公司“东芝电子零部件和存储设备”计划到2023年将半导体工厂的SiC电力半导体产量扩大到2020年的3倍。

资料来源：碳化硅芯观察