陈星弼，1931年1月出生于上海，1952年毕业于国立同济大学电机系，先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作，1956年开始在电子科技大学任教，1999年当选中国科学院院士。他是国际半导体界著名的超结结构的发明人，该发明被称为“功率器件的新里程碑”，其美国发明专利已被超过550个国际专利引用。2018年，在功率半导体领域最顶级的学术年会上，陈星弼院士入选ISPSD首届名人堂，成为国内首位入选名人堂的华人科学家。陈星碧，1931年1月生于上海，1952年毕业于同济大学电气工程系，先后在厦门大学、南京理工大学和中国科学院物理研究所工作，1956年开始在中国电子科技大学任教，1999年当选为中国科学院院士。他是国际半导体领域著名的超结结构发明者。这项发明被称为“电力设备的新里程碑”，他的美国发明专利已被550多项国际专利引用。2018年，在功率半导体领域顶级学术会议上，陈兴碧院士入选ISPSD首届名人堂，成为中国首位入选名人堂的中国科学家。
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