欧姆接触 必看！肖特基接触到欧姆接触的转变

巨大的范德瓦尔斯层间力

二维 InSe的电子迁移率高达10 ^ 3cm ^ 2v-1s-1，与黑磷相当，可以稳定存在于空气体中。在实际应用中，2D InSe需要与金属电极直接接触，实现载流子注入。但接触界面会形成有限的肖特基势垒，降低载流子的注入效率，增加接触电阻，从而大大削弱器件性能。因此，通过调整接触界面的势垒高度来形成低电阻欧姆接触对于高性能半导体器件的设计、组装和制造是非常重要的。

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