magnum 基于magnum 2 测试系统的测试技术

与非门闪存在电子行业得到了广泛的应用。但生产过程中有坏块，使用过程中坏块增多。针对这种情况，本文介绍了一种基于magnum II测试仪的快速测试方法。实验结果表明，该方法能有效提高FLASH的整体空测试效率。此外，针对与非门闪存的关键时序参数，如tREA(读取信号低电平至数据输出时间)和tBERS(块擦除时间)，利用测试系统对器件施加适当的控制激励，完成与非门闪存的时序协调，从而满足器件性能的测试要求。介绍了一种基于magnum测试仪的与非门闪存测试方法。

VDNF64G08RS50MS4V25-III模块

VDNF64G08RS50MS4V25-III的结构

VDNF 64g 08 RS 50 MS 4v 25-III NAND Flash存储器采用叠层三维封装工艺封装，同型号塑料封装芯片4个(型号:MT29F16G08ABABAWP-AITX:B，温度等级:工业级-40 ~ 85℃，版本号:1612 WP 29f 8g 08 abeba AITX B 1-2，厂家:))模块重量约6.7±0.5g..其主要特点如下:

总容量:64G位；

工作电压:3.3V(典型值)，2.7~ 3.6V(量程值)；

数据宽度:8位；

页面大小:(4K+224)字节；

块大小:128页=(512K+28K)字节；

区块选择容量:2048个区块；

页面阅读操作:阅读时间:25us(最大)；串行读取时间:25ns(最小值)；

快写周期时间:页面编程时间:230us(典型值)；块擦除时间:0.7毫秒(典型值)。

图1 vdnf 64g 08 rs50m S4 v 25-iii示意框图

图2 vdnf 64g 08 rs50m S4 v 25-iii存储基板内部结构框图

VDNF64G08RS50MS4V25-III引脚描述

VDNF64G08RS50MS4V25-III存储器采用SOP封装工艺，整个芯片镀金，可以大大增强芯片的抗干扰和抗辐射能力，有利于芯片在航空空航天等恶劣环境下的应用。

VDNF64G08RS50MS4V25-III内存各引脚功能描述如下:

Vcc:+3.3v电源输入端。滤波旁路电容应尽可能靠近电源引脚，并直接接地；

VSS:接地引脚；

#CE0/#CE1/#CE2/#CE3:芯片选择信号，在低电平有效时选择芯片；

CLE:命令锁存器，高电平有效；

ALE:数据锁存器，高电平有效；

#WE:写信号，低电平有效，对应地址有效后两个周期发生数据验证；

#RE:读信号，低电平有效；

DQ0~DQ7:数据输入/输出引脚，地址输入/输出引脚；

#WP:写保护。

VDNF64G08RS50MS4V25-III功能的操作

表1设备功能真值表

注:“H”代表高电平，“L”代表低电平，“X”代表任意状态

VDNF64G08RS50MS4V25-III的电气特性

vdnf 64g 08 rs50ms 4v 25-ⅲ电气特性见表2:

表2:产品的电气特性

表3:交流特性

VDNF64G08RS50MS4V25-III测试方案

在这种情况下，我们选择了Teradyne公司的magnamii测试系统，对VDNF64G08RS50MS4V25-III的性能和功能进行综合评估。该器件的测试思路是典型的数字电路测试方法，即存储器阵列的读写功能测试和电特性参数测试。

万能二号测试系统介绍

Magnum II测试系统是上海Teradyne公司生产的自动记忆测试仪。它由主机和测试机箱组成。每个测试机箱包含五个现场组装板，每个组装板有128组测试通道，可用于连接DUT(被测设备)的引脚。这五个装配板完全相互独立，因此它们可以与多个装配板结合，以测试具有更多引脚的产品。除了与主机通信的装配板之外，测试机箱还包括系统电源、电源监控板、冷却风扇、以太网集线器和测试板锁定装置。在使用Magnum II测试系统时，通过主机编程的方式对每个装配板进行配置，然后每个装配板对DUT进行一系列矢量测试，最后将测试结果打印在主机的UI界面上。

Magnum II测试系统具有强大的算法模块APG(算法模式生成器)，可以生成各种测试程序，即测试模式，如棋盘测试程序、反棋盘测试程序、all 空之间的全1测试、all 空之间的全0测试、读写累积数测试、读写随机数测试、对角线测试等。

使用Magnum II测试系统的测试方案

1)硬件设计

根据magnum II测试系统的测试通道配置规则，应绘制VDNF64G08RS50MS4V25-III的测试转接板，并综合考虑器件速度、工作电流、抗干扰等相关因素。

2)软件设计

考虑到使用该模块为设备提供励磁信号的特殊性，我们使用magnum II系统专用编程语言和C++编程语言在VC++环境下调试测试程序，完成相应的控制操作。具体实施步骤如下:

A.根据magnum II的标准编程方法，设置VDNF64G08RS50MS4V25-III的引脚分配、引脚加扰、引脚电子和时间设置。

B.确定顺序表执行顺序，并编辑每组测试项目，即测试块，它需要包括引脚电子器件、时间设置和funtest()函数，模式将用于funtest()函数。

C.使用magnum II测试系统的专用编程语言编辑模式，利用APG各模块的功能编辑所需的算法指令，并编译生成目标代码。

VDNF64G08RS50MS4V25-III功能测试

根据与非门闪存和其他存储单元阵列的各种故障模型，例如，阵列中一个或多个单元的一个或多个位的卡在0或1故障、阵列中一个或多个单元的卡在开路故障、转换故障、数据保持故障、状态耦合故障等。，并且有很多相应的算法来测试各种故障类型。本文采用了全零、全一、棋盘、反棋盘、累加和随机数的测试算法。

APG简介

APG是算法模式生成器的缩写，它实际上是一台简单的计算机。它使用一种特殊的编程语言和编译器来生成测试系统使用的目标代码。APG主要由两个地址发生器(XALU和YALU)、一个数据发生器和一个时钟选择信号发生器组成。

一组地址生成器最多可以编辑24位的地址长度。结合两个地址生成器，可以生成一系列的地址算法，比如递增、递减、全1输出、全0(零输出)等等。两个地址的相关运算包括加、减、或、与、异或等。这些寻址算法可以灵活地寻址器件的任何存储单元，以满足各种测试要求。

数据生成器最多可以编辑36位的数据长度。其功能包括加、减、或运算(or)、与运算(and)、异或(xor)等。它还可以与地址生成后台功能(bckfen)结合使用，以生成所需的数据。例如，当地址为奇数时，它将生成0xaa数据。当地址是。

时钟信号发生器可以编辑多达18个芯片选择通道，并可以产生四种不同的波形，即脉冲有效，脉冲无效，电平有效和电平无效。

除了以上四个模块，APG还包括pinfunc、count)、APG控制器(mar)等。使用magnum II专用编程语言，利用这些模块的功能编辑所需的算法指令，可以对设备进行功能测试。

vdnf 64g 08 rs50ms 4v 25-ⅲ电气性能试验

对于NAND闪存器件，电气测试内容主要包括引脚连续性测试、引脚漏电流测试、电源引脚静态电流测试(ICC1/ ICC2)、电源引脚动态电流测试(ICC3)、输出高/低电平测试(voh/vol)、时序参数测试(TACC、TOE、TCE)。

1)介绍1)PMU

PMU是一个参数测量单元，可以被认为是一个电压表。它可以连接到任何设备引脚，通过强制电流或强制电压测量电流来测量电压，完成参数测量。当PMU设置为强制电流模式时，一旦电流上升或下降，PMU缓冲器开始工作，可以输出强制电流测量的电压值。同样，当PMU设置为强制电压模式时，PMU Buffer会驱动一个电平，然后就可以测量相应的电流值。与非门闪存器件的引脚连续性测试、漏电流测试和voh/vol测试都是用这种方法进行的。

2)静态电流测试(ICC1/ ICC2)、动态电流测试(ICC3)和时序参数测试(TACC，TOE)。

静态电流测试不需要测试模式，动态电流测试需要测试模式。使用的电流捕捉功能分别是test_supply()和ac_test_supply()。需要注意的是，测试静态电流时，器件的芯片选择控制信号应设置为vcc状态，测试动态电流时，负载电流(ioh/iol)应设置为0ma。

当测试定时参数时，模式测试是必要的。采用逐次逼近法，控制信号的时序可以固定，数据选通的时序可以改变，以捕捉第一次数据输出的时间；您也可以固定数据选通的时序，更改控制信号第一个有效沿的时间，并与数据选通的时序进行差分运算，以获得器件的最快响应时间。