最近，江苏省苏州市INNOSECO氮化镓项目取得了新的进展。
据新华社报道。工厂建设和生产设备搬迁的第一阶段已经在江苏省的主要项目InnoSecco GaN项目中完成。预计今年11月底实现试生产，明年4月正式投产。
英诺赛科半导体有限公司副总经理王培仁表示，根据规划，英诺赛科氮化镓项目开工后两年内将建成8英寸第三代化合物半导体硅基氮化镓大规模生产线，投产后三年内将实现年产78万条功率控制电路和半导体功率电子器件的总体目标。
数据显示，Innosecco GaN项目一期投资超过60亿元，预计建成后年产值将超过100亿元。该项目主要从器件设计、驱动IC设计开发、材料制造、器件制备、后端高端封装测试和模块加工等方面搭建一个完整的产业链宽带隙半导体器件制造平台。建成后将成为集R&D、设计、延伸生产、芯片制造、分封装测试于一体的世界级第三代R&D和整个半导体产业链的生产平台。
InnoSecco总经理孙在恒早些时候表示，该项目计划在未来两到三年内每月生产6.5万片8英寸硅基氮化镓。
来源:全球半导体观察
图片来源:Paixin.com
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