随着UFS的流行,大多数人可能更关心UFS 2.0和UFS 2.1的具体区别。我们带你去看看。
2013年9月,JEDEC发布了UFS 2.0的闪存存储标准,其特点是采用串行数据传输、全双工模式和支持指令队列。与EMMC分别读写的半双工模式相比,UFS的全双工模式意味着读写可以同时执行。指令队列的增加意味着每条指令的提交不需要等待前一条指令的完成,就像EMMC5.1之前的版本一样。
UFS 2.0闪存读写速度强制标准为HS-G2,可选标准为HS-G3。HS-G2 1Lane的最大读写速度为2.9Gbps,2Lane的最大读写速度为5.8Gbps..可选标准hs-G3的最大读写速度为1个通道5.8Gbps,2个通道11.6Gbps。与EMMC5.1相比,HS-G2 1Lane在读写速度上并没有明显的优势,因此相应的商业产品并不多见。
UFS系统模型UFS系统模型
2016年3月,JEDEC发布了UFS 2.1的闪存存储标准。与UFS2.0相比,速度标准没有变化,仍然是强制标准HS-G2和可选标准HS-G3。改进主要分为三个部分:设备健康、性能优化、安全防护。设备健康信息包括剩余保留块和设备使用寿命信息,指令优先级允许将更高的优先级分配给紧急任务,安全保护支持操作系统和应用程序级别的细粒度写保护。
UFS2.1/UFS2.0采用相同的速率标准UFS2.1/UFS2.0采用相同的费率标准
UFS2.1 / UFS2.0区别UFS2.1/UFS2.0差异
对于闪存厂商来说,由于UFS2.0已经发布了与HS-G3 2Lane相对应的版本,UFS2.1选择更低的标准已经没有意义。所以市面上的UFS2.1都采用可选的HS-G3 2Lane标准,也就是最高读写速率11.6Gbps..
需要提醒的是,部分手机制造商更青睐宣传HS-G3 2Lane两倍的读写速度,并将其作为"UFS2.1"的事实标准。以三星S8和华为Mate9使用的东芝UFS2.0闪存为例,型号为THGBF7G9L4LBATR的产品采用HS-G3 2Lane标准,最高读写速率为1166MB/s,与三星S8+使用的东芝UFS2.1闪存THGAF4G9N4LBAIR在最高读写速率上没有区别。然而,后者得益于全新的产品,其顺序读取、顺序写入、随机读取、随机写入比前者分别快40%、16%、120%、80%。需要提醒的是,部分手机厂商更倾向于宣传HS-G3 2Lane的双读写速度作为UFS2.1的事实标准,以三星S8和华为Mate9使用的东芝UFS2.0闪存为例,产品型号thgbf 7g 9l 4 lbar采用HS-G3 2Lane标准,最高读写速率为1166MB/s,与三星S8+使用的东芝UFS2.1闪存THGAF4G9N4LBAIR没有区别而后者受益于全新的产品,其顺序阅读、顺序书写、随机阅读和随机书写分别比前者快40%、16%、120%和80%。
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