【彩电300v整流二极管用什么型号】二极管选择规范(仅供参考)

1、二极管的发展现状及选择原则

1.1二极管产品产业发展现状

(1)信号二极管的发展趋势：

1)表贴：小信号二极管插件包基本淘汰，都是表贴包。

2)小型化：从SOT23到SOT323、SOT523、SOD52、SOD923、0402软件包的演进

3)平销：气穴销和拐角销转换为平销，从而提高冷却和流动性能

另外，小型化发展还存在两种趋势：芯片规模封装(CSP)封装和四分之一叶无领导封装(QFN)封装。2 CSP封装是芯片级封装，因此与QFN相比具有以下优点：

1)具有小寄生参数，为RF应用程序提供了更好的性能。

2)包装可靠性高，可支持至少3次加工返工。

3)包大小较小，因此可以进一步节省PCB面积

(2)电力二极管的发展趋势：

SMX产品包：

提高流量容量：SMA流量容量2A；中小企业流量容量达到4a；SMC流量容量5A；

针优化：弯曲角度进化为直针，提高了振荡器的稳定性。

DPAK/D2PAK:对于200-400V整流二极管的要求，可以使这些封装设备高度平整，并可以选择SMPC封装，从而提高通路功能。

TO-220/TO-247:

对于600V以上的二极管要求，主流建议采用TO-220/TO-247封装

插件包：

目前，电力二极管建议将TO-22和TO-247封装作为首选封装

1.2选择原则

二极管材料分类

表1二极管分类

二极管类型

用途

应用场景

pin二极管

调频相位。开关

射频电路

变容二极管

频率调制、高分配电路匹配

调制解调电路

快速恢复二极管

整顿，更新

AC-AC、AC-DC

整流二极管

整改

AC-DC

肖特基二极管

整改、更新、开关

AC-AC、AC-DC

开关二极管

开关

开关电路

桥头堡

整改

AC-DC

稳定压力管

调节器

稳压电路

瞬态抑制二极管/晶闸管

暂态电压保护、ESD保护

保护电路

pin二极管

微波开关使用PIN管，在DC正-半偏压下提供近似传导或断开的阻抗特性，以控制微波信号信道的切换。PIN二极管的直流伏安特性与PN结二极管相同，但在微波波段存在根本差异。因为pin二极管I层的总电荷主要由偏置电流产生。不是微波电流瞬间值，只是对微波信号提供线性电阻。该电阻由直流偏压决定，正偏压时电阻小，接近短路，逆偏压时电阻大，接近开放。因此，pin二极管对微波信号没有非线性整流作用。这是与普通二极管的根本区别，因此适用于微波控制装置。

因此，引脚二极管可以用作可变阻抗元件。经常适用于高频开关(即微波开关)、相位移动、调制、限制等电路。

普通二极管由PN结组成。如果在P和N半导体材料之间添加一层薄层低掺杂本征(Intrinsic)半导体层，则该P-I-N结构的二极管为pin二极管。由于本征(Intrinsic)层的存在，pin二极管从低频到高频被广泛使用，主要用作RF领域、RF开关和RF保护电路、光电二极管(PhotoDiode)。pin二极管包括pin光电二极管和pin开关二极管。

选择时，考虑PIN二极管射频特性参数与实际电路相匹配，可以选择SOT、SOD等通用标准封装。另外，Infineon将逐步退出二极管市场，不会考虑新的选择型。

变容二极管

在选择时，主要考虑偏置范围和相应的允许值，使用时提供的电压范围对应的可变比率必须满足要求。对于频率发生器，该电压范围内的容量变化应该线性更好。另外，电压的变化不能超过仪器的最大重复工作电压

快速恢复二极管

1

）选用时主要考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。

2）反向击穿电压VBR与反向重复工作电压VRWM的选择

一般情况下，VRWM=80%-85%VBR，对于VRWM的选择，通常要求VRWM不小于3倍的线路的工作电压

3）新选型禁止选用SMA/B/C封装，推荐选用SMA/B/C-FL（直引脚表贴封装），插件优选TO-220/TO237等封装，轴向插装的禁止选用

4）最大平均正向电路IO、热阻Rjc、最高节温TjM的选择

对于半导体器件来说，使用时产生的结温与器件的可靠性有密切的关系，一般情况下，结温每升高10-12摄氏度，器件的失效率要增加一倍。因此，在器件的选型时，应尽量选用热阻小，允许结温高的器件；应选择通过相同正向电流测得温升最小的器件。

整流二极管

选用时主要考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。普遍串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可，禁止选用Openjuction工艺的二极管，，禁止选择轴向插装的二极管

肖特基二极管

选用时主要考虑最大整流电流、最大反向工作电流、封装、抗浪涌电流，优选表贴小型化封装，禁止选用轴向插装的二极管。

其它选项原则可以参考1501C快恢复二极管的选型

开关二极管

1）选用时主要考虑正向额定电流、反向重复工作电压、正向压降及开发过程中的损耗等参数

2）最大平均正向电流IO、热阻RJC、最高结温TJM的选择

对于半导体器件来说，使用时产生的结温与器件的可靠性有密切的关系，一般情况下，结温每升高10-12摄氏度，器件的失效率要增加一倍。因此，在器件的选型时，应尽量选用热阻小，允许结温高的器件；应选择通过相同正向电流测得温升最小的器件。

3）反向击穿电压VBR与反向重复工作电压VRWM的选择

一般情况下，VRWM=80%-85%VBR，对于VRWM的选择，通常要求VRWM不小于3倍的线路的工作电压

4）正向压降VF与反向恢复时间Trr的选择

对于开关二极管，影响二极管导通/截止（开关）速度的关键是由于非平衡载流子存储效应引起的反向恢复时间的存在。为了提高二极管的开关速度，人们制造能高速导通与关断的二极管。除了对二极管图形进行优化设计外，还在工艺中采用掺金等措施，引入深能级杂质，降低少子寿命，提高二极管的开关速度。

SiC二极管

1）SiC二极管比较成熟的产品有600V（650V）和1200V档次，1700V SiC也在逐步推向市场，600V（650V）主要推荐选用DPAK封装，1200V推荐选用TO-220或者TO-237

2）最早的SiC二极管是纯肖特基结构的，其优点是Vf值比较低，但是抗浪涌能力很差，器件长期可靠性风险高，后续SiC主流厂家Cree等陆续推出JBS（Junction Barrier Schottky）结构的SiC二极管，可以显著提高抗浪涌能力，提高器件长期可靠性能。特别是在1200V SiC选型时，要特别注意器件的抗浪涌性能是否满足产品设计需求。目前拥有JBS结构的厂家主要有Wolfspeed（Cree）、Infinenon、Rohm（2016年底推出的产品）

稳压二极管

1）在可能的情况下，应选择小微分电阻的器件

2）在可能的情况下，选择低温度系数的器件，但不主张选用低温度系数的稳压二极管

3）设计时，应考虑电压的容差，即电压的变化范围应尽可能的大

硅瞬态保护器件

1）电压选择：TVS管的最大钳位电压VCMAX不大于电路的最大允许安全电压，最大反向工作电压VRWM不大于电路的最大工作电压，一般可选择VRWM略大于电路工作电压。

2）瞬态功率（电流）的选择：额定的最大脉冲功率必须大于电路中出现的最大瞬态浪涌功率。在选择用于保护的TVS管时，设计人员要计算回路中的脉冲时间（如RC回路的脉冲时间tp大约等于R*C），以确定选用的TVS管的脉冲功率。TVS管的峰值脉冲功率与脉冲持续时间有一定的关系，脉冲持续时间越大，峰值脉冲功率越小，反之则越大。

3）选用TVS管作为数据信号线的保护时，要考虑TVS管结电容对信号波形的影响，应选用小结电容器件。另外也不应单独地强调减小电容，小电容的器件有一部分是以牺牲浪涌功率来获得的，在选用时应在结电容与浪涌功率两者间综合考虑。

2. 二极选型关键要素

2.1. 额定电流

额定整流电流IF指二极管长期运行时，根据运行温升折算出来的平均电流值。目前最大功率整流二极管的IF值可达1000A。

2.2. 最大平均整流电流Io

最大平均整流电流IO：在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。折算设计时非常重要的值。

2.3. 最大浪涌电流IFSM

运行流过的过量的正向电流。不是正常的电流，而是瞬间电流，这个值相当大。

2.4. 最大反向峰值电压VRM

即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。最大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。目前最高的VRM值可达几千伏。

2.5. 最大反向电压VR

上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压的值。用于直流电流，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。

2.6. 最高工作频率fM

由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。点接触式二极管的fM值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不高于几千Hz。

2.7. 反向恢复时间Trr

当正向工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际上，一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。

2.8. 最大功率P

二极管中有电流流过，就会吸热，而使自身温度升高。最大功率P为功率的最大值。具体讲就是加载二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管，可变电阻二极管显得特别重要。

2.9. 反向饱和漏电流IR

指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。在常温下，硅管的IR为nA（10-9A）级，锗管的IR为mA（10-6A）级

2.10. 降额（结温降额）

降额可以提高产品可靠性，延长使用寿命，根据温度降低10℃寿命增加一倍的理论，下面列出了不同额定结温的管子最小降额结温数据。

表2 二极管降额

额定值TjM	125℃	150℃	175℃	200℃
降额后可使用的TjM	110℃	135℃	160℃	185℃

2.11. 安规

在选型阶段应该考虑到器件是否通过了安规认证，主要应该考虑功率器件。一般为各国广泛接受的安规认证类型有UL（北美）、CSA（加拿大）、TUV（德国）、VDE等

2.11. 可靠性设计

正确选用器件及器件周边的线路设计、机械设计和热设计等来控制器件在整机中的工作条件，防止各种不适当的应力或者操作给器件带来损伤，从而最大限度地发挥器件的固有可靠性。

2.11. 容差设计

设计单板时，应放宽器件的参数允许变化的范围（包括制造容差、温度漂移、时间漂移），以保证器件的参数在一定范围内变化时，单板能正常工作。

2.11. 禁止选用封装

禁止选用轴向插装的二极管封装、禁止选用Open-junction二极管。