【h20r1202场管是什么型号】NMOS fet选择点(IRLML2502TRPBF)数据手册

IRLML2502TRPBF数据手册使您能够检查NMOS管是否包含这些参数，并选择相关数据。

NMOS管功能

超低阻抗超低温电阻。

N-channel MOSFET n通道MOSFET

Sot-23 footprint sot-23套装软体

低矮型(1.1公厘)低矮型(小于1.1公厘)

Available in tape and reel提供磁带和滚动包装

快速切换快速切换(fast switching express toggle)

Lead-free无铅

Halogen-free无卤素

上图：显示了传导电阻非常小、电压高达20V的特性

上方：装置的符号

Description描述的几个优点和应用程序什么的随便看看就行了。

these n-channel MOSFETs from international rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance pes

该部件来自IR公司的N通道MOSFET管道，利用先进工艺技术实现了硅面积极低的导电电阻。

This benefit，combined with the fast switching speed and ruggedized device design that hex fet power MOSFETs are well known for，Provides the

这一优点，加上众所周知的HEXFET功率MOSFET的快速转换速度和坚固的设备设计，为设计师提供了电池和负载管理等非常高效和可靠的设备。

a thermally enhanced large pad lead frame has been incorporated into the standard sot-23 package to produce a hexfet power MOSFET with the industry

热强化大型填充引线框架包含在标准SOT-23封装中，生产业界最小占地面积的6场效应晶体管功率MOSFET。

This package、dubbed the micro 3、is ideal for applications where printed circuit board space is at a premium。

此封装称为micro 3，适用于印刷电路板空间较小的地方。

the low profile(1 . 1mm)of the micro 3 allows it to fit easily into extremely thin pplication environments such as portable electronics and pprotable

Micro3的低矮型(1.1公厘)可轻松适应非常薄的应用程式环境，例如可携式电子装置和PCMCIA卡。

the thermal resistance and power dissipation are the best available。

热阻和耗电量最好。

Absolute Maximum Ratings绝对最大额定值参数

Parameter参数

Max。最大值

尤尼茨

VDS

Drain- Source Voltage

泄漏-源、间电压

20V

>ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V
连续漏极电流，VGS @ 4.5V

4.2A

ID @ TA= 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V
连续漏极电流，vg @ 4.5V

3.4A

IDM

Pulsed Drain Current
脉冲漏极电流 (参考图11)

33A

PD @TA = 25°C

Power Dissipation 功耗

1.25W

PD @TA = 70°C

Power Dissipation 功耗

0.8W

Linear Derating Factor线性降额因子

0.01 W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage 栅-源 电压

± 12

TJ, TSTG

Junction and Storage Temperature Range
结点和存储温度范围

-55 to + 150

上面要注意的是VDS电压不要超过20V，电流一般使用完全没问题，选型按2倍选。

Thermal Resistance 热阻

Parameter	Typ.	Max.	Units
RθJA	Maximum Junction-to-Ambient 最大结点环境	75	100C/W

Electrical Characteristics @ T= 25°C (unless otherwise specified)

电气特性在 T= 25°C(除非另有说明)

	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Units	Conditions
V(BR)DSS	Drain-to-Source Breakdown Voltage D-S击穿电压	20	–––	–––	V	VGS =0V ID = 250µA
ΔV(BR)DSS/ΔTJ	Breakdown Voltage Temp. Coefficient 击穿电压温度系数	–––	0.01	–––	V/°C	Reference to 25°C ID = 1mA
RDS(on)	Static Drain-to-Source On-Resistance	–––	0.035	0.045	Ώ	VGS = 4.5V, ID = 4.2A
RDS(on)	静态Drain-to-Source导通电阻	–––	0.05	0.08	Ώ	VGS = 2.5V, ID = 3.6A
VGS(th)	Gate Threshold Voltage 栅极阈值电压	0.6	–––	1.2	V	VDS = VGS, ID = 250µA
gfs	Forward Transconductance 正向导通	5.8	–––	–––	S	VDS = 10V, ID = 4.0A
IDSS	Drain-to-Source Leakage Current	–––	–––	1	ua	VDS = 16V, VGS = 0V
IDSS	D-S 漏电流	–––	–––	25	ua	VDS = 16V, VGS = 0V, TJ = 70°C
IGSS	Gate-to-Source Forward Leakage G-S 正向漏流	–––	–––	-100	na	VGS = -12V
IGSS	Gate-to-Source Reverse Leakage G-S 反向漏流	–––	–––	100	na	VGS = 12V
Qg	Total Gate Charge 总栅极电荷	–––	8	12	nc	ID = 4.0A VDS = 10V VGS = 5.0V
Qgs	Gate-to-Source Charge G-S电荷	–––	1.8	2.7	nc
Qgd	Gate-to-Drain ("Miller") Charge G-D电荷	–––	1.7	2.6	nc
td(on)	Turn-On Delay Time 开启延迟时间	–––	7.5	–––	ns	VDD = 10V ID = 1.0A RG = 6Ω RD = 10Ω
tr	Rise Time 上升时间	–––	10	–––	ns
td(off)	Turn-Off Delay Time关断延迟时间	–––	54	–––	ns
tf	Fall Time 下降时间	–––	26	–––	ns
Ciss	Input Capacitance 输入电容	–––	740	–––	PF	VGS = 0V VDS = 15V ƒ = 1.0MHz
Coss	Output Capacitance 输出电容	–––	90	–––	PF
Crss	Reverse Transfer Capacitance 反向传输电容	–––	66	–––	PF

注意的是VDS电压不要超过20V，静态Drain-to-Source导通电阻，当VGS为4.5V时，导通电阻是非常小的，所以在器件上损耗更小，电流可流过的就更大，这就是很多电脑主板控制电源都是用的场效应管的原因，如果用三极管开关自身损耗大，发热就大，栅极阈值电压0.6-1.2V，推荐的是4.5V~5V所以CPU为3.3V为什么要加个三极管驱动一下，输出电流使用完全没问题小于4A，建议选型要按2倍方法进行选器件，另外是开关断、上升下降时间，输入输出电容，这对高速电路应用，要重点看一下。

Source-Drain Ratings and Characteristics 源-漏额定值和特性

	Parameter 参数	Min.	Typ.	Max.	Units
IS	Continuous Source Current (Body Diode) 连续源极电流 (本体二极管)	–––	–––	1.3	A
ISM	Pulsed Source Current (Body Diode) 脉冲源极电流瞬间(本体二极管)	–––	–––	33	A
VSD	Diode Forward Voltage 二极管正向电压	–––	–––	1.2	V
trr	Reverse Recovery Time 反向恢复时间	–––	16	24	ns
Qrr	Reverse Recovery Charge 反向恢复电荷	–––	8.6	13	nC

上面说的就是保护二极管的参数。

"MOSFET" symbol showing the integral reverse p-n junction diode."

“MOSFET”符号表示积分反向p-n结二极管。

图1、2 典型的输出特性 在VGS不同电压对应VDS电流电压关系 25度 和 150度。

图3 典型的转换特性，栅-源电压 与 漏-源电流关系

图4 标准导通电阻与温度 结点温度 与 VGS为4.5V,漏-源电流在4A时导通电阻关系。

图5 典型的输入输出电容与D-S电压关系 图6：典型栅极电荷与栅-源电压关系

图7 典型的保护二极管正向电压电流关系 图8 最大安全运行区域

图10最大有效瞬态结与环境间的热阻

图11 漏-源电压开启状态（电阻）与 栅-源电压关系，VGS在4.5V~ 5V时是比较合适的。

图12 （VGS: 2.5V、4.5V）漏-源电压开启状态（电阻）与 漏极电流关系

Micro3 (SOT-23) (Lead-Free) Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches)

Micro3 (SOT-23)(无铅)封装外形尺寸以毫米(英寸)表示

上图所示，显示一些封装尺寸信息毫米(英寸)都有标明，画PCB时有用得上。