【怎么测量场效应管】MOS fet的优缺点、测量好坏判断、与三极管比较。

在互联网上总是可以找到各种零部件说明、测量、使用，但总觉得模糊、太专业、太简单，或者对一般应用来说，不是通俗易懂的。我还建议一般的场效应管(主要是强化的NMOS，不包含复杂的原理)，包含不适当的部分。[捂脸]，大神们可以跳过。

简要说明：电压控制装置。当栅极电压为零时，有更大的泄漏电流，称为耗尽型。当栅极电压为0时，泄漏电流也为0，只有添加特定的栅极电压，泄漏电流才称为增强。

分类和符号：

分类

符号

重要参数：

Vds耐压：组件分离状态下泄漏，源极可以承受的最大电压Id饱和电流Rds传导阻抗Vgs(th)栅极阈值电压开关条件：Ug Us、Ugs Ugs(th)，信号切换时相差3-5V，开关状态大于10V优点：输入阻抗

缺点：对静电敏感，容易刺穿。

与三极管相比：

主要应用：信号交换、电子开关

典型的物理和针脚分布：

物理和针脚分布

极性判断：

接合极性判断，D、S可互换

改进的NMOS极性判断

测量，判断好坏：以5N60C为例，资料如下。

N通道MOS管，带保护二极管

数字万用表二极管文件：红色笔连接G极、黑色钟笔连接S极(主要用于栅极电压)。红色表笔为S极，黑色表笔为D极，此时万用表响起(相当于电网压力下的传导)。在第二阶段进行的过程中，用手触摸G极，声音就会停止。(或者用金属短连接G、D极，然后进行到第二步，就不会响了。)没有格栅压力时，红色桌笔为S极，黑色桌笔为D极，一般只显示二极管的压降610，反接合1100多个。一般来说，通过上述步骤可以判断这个MOS管道是好的。为了避免损坏，有条件测量专业仪器。

注意：MOS管易受静电影响，操作时请注意接地和防静电处理。各剧短路后应存放在防静电袋中。此外，数字万用表电压高，该测量适用于功率高(耐压值高)的管道。

参考资料：MOS fet