【电路中GS是什么意思】MOSFET的米勒效应

引言

本文介绍了米勒效应的由来，详细分析了MOSFET开关过程米勒效应的影响，有助于精心了解米勒平台的形成机制。最后给出了fet栅电荷的作用。

什么是“米勒效应”

假设增益为-Av的理想反向电压放大器

在放大器的输出端和输入端之间连接电阻值为z的阻抗。很容易得到。

用电容值为c的电容替换阻抗z。

因此，反向电压放大器增加了电路的输入电容，放大系数为(1 Av)。

这个效果是John Milton Miller首次发现的，被称为米勒效果。

MOSFET的米勒效应分析

MOSFET的栅极-泄漏容量，构成输入(GS)输出(DS)的反馈电路，形成MOSFET的米勒效应。

在T0-t1小时内，VGS将上升到MOSFET的阈值电压VG(TH)。

在T1-t2时间内，VGS继续上升到米勒平台电压，泄漏电流ID从0上升到负载电流。

栅极电荷

首先，我们来看一下MOSFET寄生电容器的一般情况。MOSFET中的数据表

中使用的定义方法如下图所示。需要注意的是，

几乎所有的MOSFET规格表都列出了栅极电荷的参数。通过栅极电荷，设计师可以轻松计算驱动电路打开MOSFET所需的东西。Q=I*t之间。例如，设备栅极电荷Qg为20nC，如果驱动电路提供1mA充电电流，则需要20us。要在20ns下打开，需要将驱动能力提高到1A。使用输入电容不会太方便计算开关速度。

注释

栅极电荷波形图

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