肖特基二极管是一种金属半导体器件，由贵金属(金、银、铝、铂等)制成。)A为正极，N型半导体B为负极，两者界面上形成的势垒具有整流特性。因为N型半导体中电子多，贵金属中自由电子少，所以电子从高浓度的B扩散到低浓度的A。很明显，金属A中没有空空穴，所以A到B不存在空空穴的扩散运动，随着电子从B到A的不断扩散，B表面的电子浓度逐渐降低，表面的电中性被破坏，于是形成势垒，其电场方向为B → A..但是在这个电场的作用下，A中的电子也会从A漂移到B，从而减弱扩散运动形成的电场。当一定宽度的空之间的电荷区建立后，电场引起的电子漂移运动和不同浓度引起的电子扩散运动达到相对平衡，从而形成肖特基势垒。
肖特基二极管肖特基整流器典型的内部电路结构是基于N型半导体，在其上形成以砷为掺杂剂的N型外延层。阳极由钼或铝制成。二氧化硅(二氧化硅)用于消除边缘区域的电场，提高管道的耐压性。n型衬底的导通电阻非常小，其掺杂浓度比H层高100%。在衬底下形成N+阴极层，可以降低阴极的接触电阻。通过调整结构参数，在N型衬底和阳极金属之间形成肖特基势垒，如图所示。当肖特基势垒两端施加正向偏置电压(阳极金属接电源正极，N型衬底接电源负极)时，肖特基势垒层变窄，内阻减小。相反，如果反向偏压施加到肖特基势垒的两端，肖特基势垒层变宽，其内阻变大
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