【gs电路中表示什么意思】干散货收集系列9: mos管电流方向可以反转吗？体二极管能有太大的电流吗？

今天有两个问题。

1、MOS管传导电流能逆流吗？从D到S，从S到D方向自由？

2、MOS管二极管能有太多电流吗？

为什么会有这两个问题？

我们一开始学习MOS管的时候，应该都是从NMOS开始的。电流的方向都是从D到S。(阿尔伯特爱因斯坦)(美国)。

在实际应用电路中，NMOS可能有S到D的电流。例如，有以下NMOS管断电电路(只是示意图，实际电路需要进一步考虑一些因素)。

原理我先大致说一下。

1、电源正常接入时

当电源阳极VCC通过后负载电路连接到本体二极管时，本体二极管将通电，因此S极电压约为0.7V(本体二极管传导电压)。

同时，栅极G极为VCC，因此Vgs=Vcc-0.7VVgsth，NMOS管道相通。通过NMOS管道后，如果传导压降默认为0，则Vgs=Vcc，MOS管道保持通过状态。

这样整个电源路径就通了，电源为后级负载供电，后级电路正常工作。

这里需要特别注意的是，此时MOS管的电流从S到D，与平时我们经常看到的D到S相反。

2、电源连接相反时(反转电源和接地)

GGS连接电源阴极，即0V、S极，通过负载接收电源阴极，即0V，因此Vgs=0V、MOS管也不通。

同时，D非常Vcc，S非常0V，体二极管反向偏置，不能通电，不能通过NMOS管道通过电流。(阿尔伯特爱因斯坦)(美国)。

对于负载，电源已关闭。

反转的电源不会上升到后面的负载之上，所以不会燃烧后级电路。只要我们把前面的电源和阴极对接，后级电路就能再次正常工作，从而实现防反折功能。(大卫亚设，Northern Exposure)。

有必要说一件事。这里的反接电源反向连接，并不意味着后级电路也能工作。但是，电源连接反了。后面的电路不冒烟。

我以前第一次看到这个电路的时候，其实心里打鼓

这个MOS管通的时候电流能倒流吗？从D到S，从S到D没关系吗？

除了这个电流的方向问题，还有MOS管的体二极管问题，这个二极管会有太多电流吗？

不懂的话，会认为这个二极管能通过的电流很小。因为有“寄生二极管”的名字，所以很容易受骗。

寄生一词很容易让人联想到寄生电感、寄生电容等，这两种东西一般都很小，所以这种寄生二极管也很弱，很容易让人误以为过不了比较大的电流。

解决问题

这两个问题实际上可以用一个电路解决。就是下面的巴克电路。

你知道这是巴克电路。下管是NMOS管道。

也就是说，下管NMOS的电流方向是从S到D的，也就是反着流，并且这个电流可以是很大的，因为电感的电流是可以比较大的，跟负载有关。

除此之外，从之前的文章《BUCK的振铃实验与分析》里面我们也知道，BUCK在开关切换的时候，会存在死区时间（上管和下管都不导通的时候）。而电感的电流是不能断的，死区时间电感的电流就是走的下管的体二极管。

又因为电感的电流取决于负载电流，是可以到几安培的，所以说下管的体二极管的电流也是可以很大的。

那MOS管的体二极管电流最大能到多少呢？选型的时候需要考虑吗？

很多MOS管是不标注这个参数的，但是也有一些厂家标注了，比如这个NMOS管SI9804

从上面手册看到，可以通过的持续电流是2.1A。

这个是怎么来的呢？

这个我觉得可能是根据功耗限制来的。

如果通过的电流时间很短，那么可以通过更大一点的电流，如果时间比较长，那么流过的电流就不能太大。

从上图可以看到，环境温度25℃的最大功耗是2.5W。这么看的话，前面说的持续电流是2.1A，应该也是根据功耗限制来的。

根据常规硅二极管，通过2.1A电流时，导通压降大概是1V左右，那么功耗就是P=2.1A*1V=2.1W，跟2.5W也差不太多。

当然，以上只是我的猜测而已，并没有找到什么比较官方的说法。

一个更详细的手册

写到这里，我又找到一个更为详细的MOS管手册，英飞凌的NMOS管BSC059N04LS6，里面有详细介绍体二极管的过流能力，包括持续和瞬间的电流。

这个手册让我确信了上面的猜测。

下面是BSC059N04LS6手册里面的体二极管的参数

从上表直接可以看到，体二极管的持续电流是可以到38A，脉冲电流是可以到236A的，同时，也可以看到，二极管最大导通电压是1V。

可能会有些诧异，这个二极管持续电流能到38A这么大？

实际应用自然是到不了，我们需要注意上面是有个条件，那就是Tc=25℃的，c是case，也就是外壳保持25℃情况下的。

我们实际应用中，如果不加特别的散热措施，肯定是没法保证这个MOS外壳是这个温度，自然也就不能持续通过38A的电流。

不过这也无关紧要，我们仅仅是看这个参数的意义，想知道它是怎么来的。

我们再看看手册里面的功耗限制

可以看到，在Tc=25℃时，功耗限制是38W，前面知道导通电压是1V，电流限制是38A，正好功耗限制等于电压乘以电流，这也太巧了。

所以，体二极管能通过的电流就是根据功耗限制来的没跑了。

同时，我们看到，在Ta=25℃，功耗限制是3W，这个Ta就是环境温度了，这个与实际使用情况应该是更为接近的（不使用特别散热措施）。

如果用这个值计算，那么体二极管能持续通过的电流也就是3W/1V=3A左右，当然，这个是我的推测，手册里面没写。

到这里，至少我们应该知道了，体二极管还是能过比较大的电流的。

当然，还有一个问题，上面说的是持续的电流，必然还有瞬间电流的问题，瞬间电流能过多大呢？

这个问题反而更为重要一点，因为正常使用中，我们不会给MOS管的体二极管通过持续时间比较长的电流。如果有这个需要，我们直接让MOS管导通不就好了吗，功耗还能更低。

前面举例的BUCK中，体二极管也只是在死区时间才会有电流通过，这个时间是相当短暂的。

所以这个瞬间能过多大的电流反而更值得看一看。

我们还是看BSC059N04LS6的手册，因为它都直接标出来了。

这个管子导通电流可以到59A，在10us时间内能通过的电流是236A，而体二极管也是236A，二者是相同的，而且都很大，也就是说体二极管的瞬间电流根本就不会成为使用的瓶颈。

也许这就是为什么我们很少去关注MOS管的体二极管的电流，只看MOS管导通电流够不够大。

以上内容小结一下：

1、MOS导通后电流方向其实可以双向流动，可以从d到s，也可以从s到d。

2、MOS管体二极管的持续电流可以根据MOS管的功耗限制来计算，

3、MOS管体二极管瞬间可以通过的电流，等于NMOS管导通后瞬间可以通过的电流，一般不会是瓶颈

本来写到这里，文章也已经可以结束了，不过我还是想着能不能从MOS管的原理上看出上面的内容。

以下是我的一些理解，供参考。

NMOS管的结构

我们看一下NMOS管的结构。

以NMOS为例，如上图，S和D都是掺杂浓度比较高的N型半导体，衬底为P型半导体，并且衬底和S极是接到一起的。

在Vgs电压大于门限电压Vth时，也就是栅极相对衬底带正电，它会将P型衬底中的少子（电子）吸引到P型衬底上面，形成反型层，也就是导电沟道。

这时，我们会看到，S和D本身是N型半导体，有很多自由电子，S和D之间也有很多电子，也可以导电。

也就是说，S和D之间，是连通的，到处都有自由电子，可以移动。

因此，我们给S和D之间加上电压，就会形成电流，而且是不管电压的方向如何，只要有电压，就能形成电流，二者没有什么差别。

也就说，电流可以双向流动，可以从D到S，也可以从S到D。

我们接着看体二极管的过流能力

P和N型半导体放到一起，总会形成PN结，也就是二极管。S和D之间体二极管实际是漏极D与衬底形成的，因为S和衬底是接到一起的，那么也就是D和S之间有个体二极管了。

MOS管导通，原理就是因为栅极吸引了P型衬底里面的少子（电子），形成了导电沟道，这个沟道想想也应该比较窄，但是它已经能够支撑起Id的电流了（MOS管导通时电流，每个NMOS都有这个参数）。

那么作为体积大，面积也大的衬底，它与漏极形成的PN结，自然流过的电流达到Id没啥问题（不考虑温度的话）。

不过因为形成的沟道阻值很低，不怎么发热，而PN结总有个导通压降，流过电流会发热，这是个大劣势，所以体二极管受制于这个发热的问题。

所以最终的结果就是，我们会看到体二极管流过的持续电流受制于MOS管的功耗。

以上关于原理的说法，看着是自洽的，纯属个人看法，如有问题，欢迎在留言区指正。

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