陈星弼院士去世 “中国功率器件领路人”陈星弼去世享年89岁

陈星弼院士去世 “中国功率器件领路人”陈星弼去世享年89岁

　　中国功率半导体器件领路人、中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼在成都逝世

　　国际著名半导体器件物理学家、微电子学家，中国科学院院士，IEEE Life Fellow，九三学社社员，电子科技大学教授陈星弼先生，因病医治无效，于2019年12月4日17时10分在成都逝世，享年89岁。

　　因对我国功率半导体领域的突出贡献，陈星弼先生于1999年当选为中国科学院院士。因对高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献，他于2015年5月获得IEEE ISPSD大会颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年5月，因发明的超结器件成为国内首位入选IEEE ISPSD首届全球32位名人堂的科学家。

　　陈星弼先生1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江省金华市浦江县。1952年毕业于同济大学电机系。毕业后在厦门大学电机系、南京工学院无线电系担任助教。1956年到成都电讯工程学院任教。1983年任成都电讯工程学院微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。曾先后在美国俄亥俄大学、加州大学伯克利分校、加拿大多伦多大学作访问学者。

　　陈星弼先生是我国第一批学习及从事半导体科技的人员之一，是电子工业部“半导体器件与微电子学”专业第一个博士生导师。他是国际著名的半导体器件物理学家、微电子学家，是国际半导体界著名的超结结构的发明人，也是国际上功率器件的结终端理论的集大成者。

　　陈星弼先生于上世纪五十年代末，在国际上最早对漂移晶体管的存贮时间问题作了系统的理论分析。七十年代，他在我国率先制造硅靶摄像管。八十年代以来，从事功率半导体器件的理论与结构创新方面的研究。在中国首次研制了VDMOST、IGBT、LDMOST、MCT、EST等器件，并第一个提出了各种终端技术的物理解释及解析理论。上世纪八十年代末他提出了两种新的耐压层结构，并作了唯一的三维电场分析。其中超结结构打破了传统功率器件的硅极限，被国际学术界称为“功率器件的新里程碑”。

　　2000年以后，陈星弼先生的其它重要发明还包括高K电介质耐压结构、高速IGBT、两种多数载流子导电的器件等。他发表超过200篇学术论文和获得授权中美等国发明专利40余项，其中著名的超结发明专利US 5216275被国际专利他引超过550次，并授权给国际主流半导体公司。他主持完成国家自然科学基金重点项目、军事研究项目、国家“八五”科技攻关项目多项。获国家技术发明奖及国家科技进步奖2项，省部级奖励13项。曾任电子工业部第十三所专用集成电路国家级重点实验室学术委员会主任委员、四川省科学技术顾问团顾问等。

陈星弼院士去世