中国科学院陈星碧院士去世后陈星碧院士信息介绍
据媒体报道,国际知名物理学家、半导体器件微电子科学家、中国科学院院士、九三学社成员、中国电子科技大学教授陈兴璧先生于2019年12月4日17时10分在成都逝世,享年89岁。
陈兴璧院士是我国功率半导体领域的领军人物和大师。他是世界上第一个提出超结击穿电压层理论的科学家。他的超结发明专利打破了传统的“硅极限”,被国际学术界誉为“高压功率器件的新里程碑”。
陈星碧院士介绍
陈兴璧院士,1931年生于上海。半导体器件与微电子专家,中国科学院院士,中国电子科技大学教授、博士生导师。陈星碧从事半导体电力电子器件的理论和结构创新研究,被誉为“中国电力器件的领军人物”。
陈星碧1952年毕业于同济大学,后就职于厦门大学、南京理工大学、中国科学院物理研究所。1956年开始在成都电信工程学院工作。1980年,他是俄亥俄大学的访问学者。1981年,他是加州大学伯克利分校的访问学者和研究工程师。1983年任中国电子科技大学微电子科学与工程系主任、微电子研究所所长。1999年当选中国科学院院士。2001年加入九三学社。
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