【怎么测量场效应管】常用的fet和MOS fet检测方法来了。

场效应管连接类型、绝缘栅类型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名，绝缘型栅场效应管(JGFET)因与晶格不同的电极完全绝缘而得名。目前绝缘栅场效应管中应用最广泛的是MOS场效应管，即MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管)。还有PMOS、NMOS、VMOS功率场效应晶体管等。

沟也有结晶型和绝缘型各粉道和P沟两种，具体取决于半导体材料。用导电的方式划分，场效应管又可以分为枯竭型和增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管均为耗尽型并强化。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。MOS场效应晶体管分为N槽耗尽型和增强型。p沟枯竭类型及改进的四大类。

常用的现场实用工具管包括：

1、MOS场效应晶体管

金属-氧化物-半导体场效应管，属于绝缘栅极类型。主要特点是金属闸门和沟之间有二氧化硅绝缘层，输入阻力高。它还分为N通道管道和P通道管道，通常连接内衬(衬底)和源极S。根据传导方式，MOSFET又分为增强型和消耗型。

强化是指当VGS=0时，管道处于阻塞状态，加上正确的VGS后，大多数载流子会被拉到晶格中，“强化”该区域的载流子，形成导电沟。小镇型是指当VGS=0时形成沟渠，加上正确的VGS，大多数流量者会从沟渠流出，将“放电”的流量者、管道转向切口。(阿尔伯特爱因斯坦)(美国)。

以N沟为例，在P型硅衬底上制作两个高浓度源扩散区N和泄漏扩散区N，然后分别诱导源S和泄漏D。源极和衬底是内部连接的，两者总是保持等电位。电源正、源极电源阴极和VGS=0泄漏时通道电流(即泄漏电流)ID=0。随着VGS逐渐升高，在栅极正电压的驱动下，检测到两个扩散区域之间有负电的少数载流子，形成从漏极到远极的N型沟，当VGS大于管道的开放电压VTN(通常约2V)时，N通道管道流入，形成漏电流ID。

由于MOS场效应管的输入电阻很高，栅极-源极间电容器非常小，因此很容易对外部电磁场或静电的检测产生电能，少量电荷会对极间电容器形成相当高的电压(U=Q/C)，从而损害管道。

因此，工厂的每一针都相互缠绕或放在金属箔内，使G极和S极具有等电位，防止静电下积累。管道不使用时，所有引线也要短连接。测量时要特别小心，并采取相应的防静电措施。

莫尔斯场效应管检测方法

(1)准备工作

测量前，先把人体短路在地面上，然后才能摸到MOSFET的别针。最好在手腕上连接电线，与大地连接，保持人体和大地的等电位。然后拔下销并拆下导线。

(2)判定电极

如果把万用表挂在R100档，首先决定闸机。如果某只脚和另一只脚的阻力是无限的，则证明这只脚是门G。交换表笔再测量，S-D之间的电阻值应该在几百欧元到几千欧元之间，其中电阻小的情况下，黑色表笔是D极，红色表笔是S极。

(3)放大能力检查(跨导)

G极悬浮在空中，黑色表笔是D极，红色表笔是S极，然后用手指触摸G极，表针应该有更大的偏向。双栅极MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为了区分，可以用手分别触摸G1、G2极点。在这里，表针是偏向左边的宽度较大的G2极。

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