场效应管的作用 场效应管基础知识解析（一）

场效应晶体管简称场效应晶体管。主要有两种类型:结型场效应晶体管(JFET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(简称金属氧化物半导体场效应晶体管)。多数载流子传导也叫单极晶体管。属于压控半导体器件。它具有高输入电阻(107 ~ 1015ω)、低噪声、低功耗、大动态范围、易集成、无二次击穿、安全工作区宽等优点，已成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者。

场效应晶体管(场效应管)是一种利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的半导体器件。

因为它只通过半导体中的多数载流子导电，所以也被称为单极晶体管。

FET的英文单词是场效应晶体管，缩写为FET。

场效应管特点

与双极晶体管相比，场效应晶体管具有以下特点。

该电路结合了增强型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和增强型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。当输入端为低电平时，P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管导通，输出端连接到电源的正极。当输入端处于高电平时，N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管导通，输出端连接到电源地。在这个电路中，P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管总是工作在相反的状态，它们的相位输入和输出端是相反的。这样，我们可以获得更大的电流输出。同时，由于漏电流的影响，栅极电压还不是0V，通常当栅极电压小于1到2V时，MOS FET关断。不同场效应管的关断电压略有不同。正因为如此，电路不会因为两个管同时导通而短路。

场效应管作用

1.场效应管可用于放大。因为场效应管放大器的输入阻抗很高，所以耦合电容的容量可以很小，不需要电解电容。

2.FET的高输入阻抗非常适合阻抗变换。常用于多级放大器输入级的阻抗变换。

3.场效应晶体管可以用作可变电阻器。

4.场效应晶体管可以方便地用作恒流源。

5.场效应晶体管可以用作电子开关。

场效应管分类

场效应晶体管分为结型场效应晶体管(JFET)和绝缘栅场效应晶体管(金属氧化物半导体)。

根据沟道材料类型和绝缘栅类型，有N沟道和P沟道两种；根据导通模式:耗尽型和增强型，结型FET为耗尽型，绝缘栅FET同时为耗尽型和增强型。

场效应晶体管可以分为结型场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管可以分为N沟道耗尽型和增强型。p沟道耗尽型和增强型。

结型场效应晶体管(JFET)

1.结型场效应晶体管的分类:结型场效应晶体管有两种结构形式，即N沟道结型场效应晶体管和P沟道结型场效应晶体管。

结型场效应管也有三个电极，分别是:栅极；漏电极；源电极。

电路符号中门的箭头方向可以理解为两个PN结的正向导通方向。

2.结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)，N沟道结构场效应管的结构和符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，PN结基本不导电，形成所谓的耗尽区。当漏极电源电压ED不变时，如果栅极电压为负，PN结界面形成的耗尽区会更厚，漏极与源极之间的导电沟道会更窄，漏极电流ID会更高。相反，如果栅极电压不那么负，沟道变宽，ID变大，那么漏极电流ID的变化可以由栅极电压EG控制，也就是说，FET是电压控制元件。

绝缘栅场效应晶体管

1.绝缘栅场效应晶体管(MOS晶体管)的分类:绝缘栅场效应晶体管也有两种结构形式，n沟道型和p沟道型。无论是什么通道，都分为增强型和耗尽型。

2.它由金属、氧化物和半导体组成，所以也叫金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。

3.绝缘栅场效应晶体管的工作原理(以N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管为例)它利用UGS效应来控制“感应电荷”的数量，从而改变这些“感应电荷”形成导电沟道的条件，进而达到控制漏极电流的目的。在制作管道时，通过工艺在绝缘层中出现大量的正离子，因此在界面的另一侧可以感应出更多的负电荷，这些负电荷连接高磁导率杂质的N区形成导电通道，即使当VGS=0时，也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道中感应的电荷量也随之改变，导电沟道的宽度也随之改变，因此漏极电流ID随着栅极电压的改变而改变。

场效应管的工作模式有两种:栅极电压为零时漏极电流大的那种称为耗尽型；当栅极电压为零时，漏极电流也为零，在漏极电流被称为增强之前，必须加上一定的栅极电压。

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