合肥长鑫合肥长鑫是如何在铜墙铁壁上钻出洞来的？

动态随机存取存储器(DRAM)是计算机处理器中用来实现最佳功能的半导体存储器。随着云计算的应用场景越来越多，对DRAM的市场需求也在不断扩大。

这个市场从来就不是中国企业的舞台。长期以来，三星电子、SK Hynix、美光科技(MU)占据了95%的市场份额，被称为“DRAM Trio”或“D3”。它们都是高墙和铁板。

现在，一个小裂缝出现了。

5月14日，合肥长信推出了自己的DRAM芯片产品，被国内该领域企业视为从0到1的突破。

DRAM芯片退潮记

中国曾试图在DRAM领域取得突破。

1993年，“908工程”的主体工程无锡华晶，生产了国内第一台基于2.5um工艺技术的256 Kb DRAM。

但这并不令人满意。自1990年“908工程”启动以来，此时已投入20多亿元，但市场化前景依然模糊，一两款产品的突破显然达不到预期。

担心很快成为现实，无锡华晶终于在1997年竣工投产。但“正在建设”的现实是落后的，随之而来的金融危机使其陷入发展瓶颈。

1997年华晶投产时，韩国的芯片技术，尤其是DRAM技术已经大大领先美国和日本，成为世界第一，推出了0.18um工艺技术的1Gb DRAM。但是华晶的技术来自日本。

1998年，无锡华晶与上海华虹签订合作协议，为“909工程”主体项目上海华虹生产MOS晶圆。华晶芯片生产线开始承接尚华公司来料加工业务，并开始实施100%贴牌生产的代工厂模式。

中国企业第一次主动放弃追赶DRAM芯片的努力，也意味着相关技术开始一步步落后。尤其是DRAM芯片的两个重要指标，工艺技术和容量是不可能赶上的。

上海华虹努力追赶，开始引进日本DRAM芯片公司NEC。1999年9月，华虹开始批量生产基于8英寸晶圆、0.35um工艺技术的64M DRAM芯片，但同一产品是三星在1992年批量生产的。

2001年，NEC未能挺过互联网泡沫，宣布退出DRAM市场，剥离半导体板块，共同成立埃尔皮达。华虹顿时陷入了两难的境地，不仅技术落后，现在连技术源头都没了。之后华虹开始转型，2004年开始晶圆代工厂，退出DRAM行业。

“以市场换技术”并没有带动产业链的发展，中国的芯片企业再次尝到了苦果。

2004年，SMIC在中国大陆投资建造了第一个12英寸晶圆厂(Fab 4)，2006年，大规模生产由奇梦达股份有限公司母公司英飞凌科技提供的80纳米工艺技术的动态随机存取存储器芯片，并为奇梦达梦达和埃尔皮达生产动态随机存取存储器芯片。到2008年，SMIC在mainland China的动态随机存取存储器制造领域获得了30%的市场份额，但随着对TSMC诉讼的深入，SMIC被迫放弃其动态随机存取存储器芯片业务。

中国大陆的动态随机存取存储器芯片从设计走向制造。

2008年的金融危机导致了DRAM芯片行业的巨大变化，包括梦达的崩溃和美光对埃尔皮达的收购。全球DRAM行业进入三星、Sk Hynix、美光时代，被美国、韩国垄断。

2013年以来，智能手机行业崛起，DRAM市场迅速扩张。掌握了绝对定价权的美韩公司，一路掀起了DRAM价格上涨的浪潮。“厂内失火，仓库进水，供电不足”是涨价的原因。

据2019年中国半导体进口统计，DRAM芯片进口量高达800亿美元，占芯片进口总量的一半。

突然杀出一个合肥长鑫

早在2014年6月24日，国务院发布了《促进全国集成电路产业发展纲要》，将集成电路产业发展提升为国家战略。同年9月24日，国家集成电路产业投资基金(“大基金”)成立。

在全球半导体产业格局基本确定的情况下，国家率先发动冲击。

此时的DRAM市场结构如下:三星占据绝对地位，市场份额45%，其次是海力士，29%，镁，21%。美国和南台湾省占据95%的DRAM市场，剩下的份额由南亚和的Winbond瓜分。中国从0开始。

2016年，中国仓储迎来了自建的第一年。

2月26日，金华由福建电子信息集团和泉州、晋江政府共同出资。刚开始金华集成和UMC进行技术合作，重点在DRAM领域；

6月13日，合肥长信由合肥投资牵头，重点关注DRAM方向；

7月26日，长江存储成立，第一条NAND闪存生产线在武汉建成，一期投资240亿美元。

面对一个数百亿元的巨额投资、寡头垄断、市场容量超过一万亿、年进口总值超过1000亿美元的行业，中国的做法不仅大胆，而且不再像以前的项目那样专注于一个地方。

这种多方进步，多点联合投资的发展模式，给人们带来了不同的思考。

合肥、泉州、武汉+紫光的“三地一企”投资模式，合肥是最不受青睐的。当时，一些紫光公司已经在武汉运营，如武汉新新、Xi国鑫，武汉已经获得“国家仓储基地”项目。

泉州和晋江共建的金华，有着与台湾省隔着一长条水的优势，技术来源是联华电子，有一定的优势。

然而，最后，合肥又赢了一个BOE。

这个被称为“506工程”的项目，在合肥悄然启动。直到2017年3月9日，这个项目，也就是后来的合肥长新，被称为“506”。

2016年10月17日，项目开工。

2017年3月1日发布了《安徽省关于印发2017年省级调度项目的通知》，合肥长信项目也在其中。该项目被称为“战略性新兴产业”，是一个12英寸晶圆基地，总投资534亿元，2017年预计投资35亿元，计划在当年完成投产工作。

很快，合肥长新的研发进入快车道。当大家都以为合肥长信会在赵一创新提供的技术基础上开发DRAM芯片的时候，美国禁令给大家泼了冷水。

合肥长新不得不调整R&D方向。从公开信息来看，禁令来临时，合肥长信的32层DRAM芯片已经开发出来，而64层DRAM芯片逐渐突破了原有的技术难点。此后，合肥长信调整了R&D方向，直接进入64层DRAM芯片的R&D，对原有架构设计进行了一定程度的调整，避免了可能出现的专利风险。

工艺技术方面，同时在进行两个10nm方案，分别是1 nm的19nm和1y nm的17nm，属于两个不同的团队同时进行，远远落后于三星等巨头，但距离不大。

2018年1月，合肥长信建成了国内最大的单个12英寸DRAM芯片晶圆生产线。7月16日，合肥长新召开“电影控制与电影放映总结会”，宣布正式生产电电影。合肥长新是中国三大记忆工程中第一个宣布电影放映完成的。

会上，朱一鸣接任72岁的赵一创新创始人王宁国的首席执行官一职。这一举动被认为是合肥长新利用朱一鸣的影响力进行国际采购与合作的最重要的一步。

10月22日，朱一鸣访问欧洲，首先希望从ASML购买EUV光刻机。然后我去了比利时的鲁汶，参观了IMEC(大学间微电子中心)。

9月21日，2019年世界制造业大会建设制造业强国专家论坛在合肥举行。合肥长信宣布，总投资1500亿元的合肥长信DRAM芯片自主制造项目投产，将生产出国内第一代基于10nm (19nm)工艺技术的8Gb DDR4存储器。

朱一鸣表示，“投入生产的8Gb DDR4已经通过了国内外众多大客户的验证，并于今年年底正式交付。另一款用于移动终端的低功耗产品即将投产。”

今年5月14日，JD.COM下架了首款纯国产DDR4内存(采用国产长信颗粒)——广为一系列Pro，这是合肥长信的首款消费级DRAM芯片产品。

从2016年5月项目成立到2020年5月14日消费类产品上市，合肥长信在元器件、口罩、设计、制造、测试等领域积累了大量的技术和经验。

截至5月19日，已公开查询合肥长新的发明专利和授权发明专利850余项，获得转让专利50余项。在一项“未公布发明人”的转让专利中，我们看到了一项名为“隔离沟槽的填充方法和设备以及隔离沟槽的填充结构”的专利，这是目前合肥长信动态随机存取存储器芯片的主要技术之一。

除了自主研发，合肥长信的另一个关键词是“齐”，这是欧洲之行的又一成果。

技术是护城河，资金是助推剂

2006年5月1日，由英飞凌半导体事业部拆分的新内存公司齐成立，迅速成为全球第二大DRAM公司，300mm行业领袖，市场最大的个人电脑和服务器DRAM产品供应商之一。

由于2008年次贷危机的影响，齐于2009年1月23日向法院申请破产保护，齐于4月1日正式进入破产清算程序。此时其市场份额仍高达10%，位列当时全球第五大DRAM芯片供应商。

齐梦达是DRAM芯片技术的另一个流派。

2006年9月18日，齐与南亚科技合作，宣布推出基于75纳米工艺技术的新型动态随机存取存储器芯片沟槽字线技术，这与三星、海力士和镁掌握的堆叠字线技术完全不同。

开槽意味着向下挖掘内存以获得更大的存储空间空，堆叠意味着向上堆叠内存以获得更大的存储空间空。

沟槽型遇到的技术瓶颈会比堆叠型快。显然，达也发现了这种情况，然后开始了新技术的研发。

2008年2月2日，在IEDM2008大会上，齐提交了题为“6F2埋字线DRAM单元40 nm及以上”的论文，正式提出了基于40nm(实际为46nm)的埋字线技术，这是基于“沟槽技术”的技术变体，其实现类似于堆叠技术。

再一次，这项技术成为了DRAM芯片发展史上的重要技术节点之一。池将动态随机存取存储器芯片技术重新定义为“嵌入式”和“堆叠式”。

4月22日，与Winbond签署了65nm嵌入式技术DRAM芯片技术转让协议。该协议的重要内容是将齐最近公布的嵌入式DRAM芯片技术纳入到Winbond未来的生产中，在以后的开发中，取代之前的58nm工艺技术。此时，基于嵌入式技术的46nm工艺技术的开发已经完成，但危机来了。

8月12日，温邦和齐再次签订协议，但这次是签订了《破产程序和解合同》。该协议表明，公司同意在其破产程序中放弃对温邦电子的债权，温邦电子也同意不再继续参与齐的破产程序。

更重要的是，Winbond收购了齐留下的46nm技术。有了这项技术，Winbond于2011年12月开发并量产了46纳米的DRAM芯片。之后，由于与埃尔皮达的合作，Winbond放弃了DRAM标准件的生产，转而持续开发消费级DRAM产品。直到2017年6月，Winbond才把DRAM芯片升级到38nm，之后就没什么进展了。

2015年6月，英飞凌重新包装并以3000万美元的价格出售了齐的专利。它接管的公司是一家名为北极星创新有限公司的加拿大专利“转售”公司。

此后，消失在半导体工业的长河中，其技术再次问世，已在中国。

2019年5月15日，合肥长信在上海举行的GSA MEMORY+峰会上公布了其DRAM技术来源。通过与齐的合作，合肥长信获得了1000多万个与DRAM相关的技术文档(约2.8TB数据)和1.6万项专利。具体合作方式合肥长信没有透露。

这个消息，让人知道了合肥长信的技术来源和风险规避，至少，在专利壁垒和技术门槛很高的半导体行业，不担心专利就很难吃饭。

2019年12月5日，北极星创新有限公司的母公司Wi-LAN Inc .将这些专利打包出售给中国合肥长新。双方都没有透露具体的交易金额。

这些知识产权由12000多项专利组成，包括与动态随机存取存储器、闪存、半导体技术、半导体制造、光刻、封装、半导体电路和存储器接口相关的技术，包括约5000种美国专利和申请，以及7000多项国际专利和申请。这些专利的平均有效期超过4年。也就是说，基于奇数梦达技术专利开发的动态随机存取存储器芯片在未来将面临更少的市场风险

今年4月27日，合肥长信与同样是专利“倒卖”公司的美国半导体公司Rambus Inc .签订专利许可协议，合肥长信从Rambus Inc .获得了大量实施DRAM芯片技术专利的许可。

专利成了合肥长信自救的手段之一。当然也有一定的市场风险。

有趣的是，在获得齐的技术支持后，合肥长信斥资25亿美元进行研发，在重新设计芯片架构后，迅速将齐留下的46nm技术提升到10nm的水平(量产19nm，研发17nm)。